| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 气体传感器研究现状 | 第8-11页 |
| 1.1.1 气体传感器性能指标 | 第8-9页 |
| 1.1.2 气体传感器分类 | 第9-11页 |
| 1.2 气体传感器最新研究方向 | 第11-13页 |
| 1.3 InAs/InP径向异质结纳米线研究现状 | 第13-14页 |
| 1.4 论文的主要工作 | 第14-15页 |
| 2 InAs/InP径向异质结纳米线生长及表征 | 第15-27页 |
| 2.1 InAs/InP径向异质结纳米线生长方法简介 | 第15-20页 |
| 2.1.1 热蒸发法 | 第15-16页 |
| 2.1.2 分子束外延 | 第16-18页 |
| 2.1.3 金属有机化学气相沉积 | 第18-19页 |
| 2.1.4 化学束外延 | 第19-20页 |
| 2.2 InAs/InP径向异质结纳米线实验生长及表征 | 第20-26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 3 纳米线大规模排列 | 第27-35页 |
| 3.1 纳米线排列方法简介 | 第27-33页 |
| 3.1.1 LB膜排列 | 第27-29页 |
| 3.1.2 接触印刷排列方法 | 第29-30页 |
| 3.1.3 水流排列法 | 第30-32页 |
| 3.1.4 介电泳法定向排列 | 第32-33页 |
| 3.2 大规模纳米线阵列制备研究 | 第33-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 4 纳米线器件制备及工艺 | 第35-42页 |
| 4.1 光刻掩膜版的设计 | 第35-36页 |
| 4.2 器件制作半导体工艺流程 | 第36-41页 |
| 4.2.1 清洗硅片 | 第36-37页 |
| 4.2.2 制备栅氧化层 | 第37页 |
| 4.2.3 制备叉指电极 | 第37-38页 |
| 4.2.4 制备光刻胶凹槽 | 第38-39页 |
| 4.2.5 排列纳米线 | 第39-40页 |
| 4.2.6 制备上层电极 | 第40-41页 |
| 4.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 5 InAs/InP径向异质结纳米线器件气敏特性研究 | 第42-54页 |
| 5.1 气敏测试设备搭建 | 第42-43页 |
| 5.2 InAs/InP径向异质结纳米线器件的气敏测试 | 第43-50页 |
| 5.2.1 InAs/InP(1.1 nm)径向异质结纳米线气敏测试 | 第43-45页 |
| 5.2.2 InAs/InP(3.3 nm)径向异质结纳米线气敏测试 | 第45-46页 |
| 5.2.3 InAs/InP(6.5 nm)径向异质结纳米线气敏测试 | 第46-48页 |
| 5.2.4 InAs/InP(0 nm)径向异质结纳米线气敏测试 | 第48-50页 |
| 5.3 实验结果分析 | 第50-53页 |
| 5.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
