| 摘要 | 第6-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第11-12页 |
| 1.2 变频电机绝缘结构及其失效机理 | 第12-14页 |
| 1.2.1 变频电机绝缘结构 | 第12-13页 |
| 1.2.2 变频电机绝缘失效机理研究 | 第13-14页 |
| 1.3 纳米电介质研究进展 | 第14-20页 |
| 1.3.1 聚合物纳米复合电介质的界面 | 第15-18页 |
| 1.3.2 聚合物纳米复合电介质电气性能 | 第18-19页 |
| 1.3.3 聚酰亚胺/无机纳米复合电介质 | 第19-20页 |
| 1.4 局部放电对PI及其复合电介质的损伤作用 | 第20页 |
| 1.5 本文研究的主要内容 | 第20-22页 |
| 第2章 温度对PI薄膜绝缘性能的影响 | 第22-46页 |
| 2.1 温度对PI薄膜局部放电特性的影响 | 第22-31页 |
| 2.1.1 方波脉冲电压下的局部放电测试系统 | 第22-27页 |
| 2.1.2 温度对PI薄膜PDIV的影响 | 第27-28页 |
| 2.1.3 温度对PI薄膜局部放电特性的影响 | 第28-31页 |
| 2.2 温度对PI薄膜介电强度的影响 | 第31-38页 |
| 2.2.1 PI薄膜击穿试验系统 | 第32-33页 |
| 2.2.2 试验温度对PI薄膜击穿特性的影响机理 | 第33-38页 |
| 2.3 PI分子链热降解的微观动力学 | 第38-44页 |
| 2.3.1 分子动力学模拟理论 | 第38-40页 |
| 2.3.2 PI分子结构 | 第40-41页 |
| 2.3.3 PI分子链的模拟降解细节 | 第41-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第3章 局部放电对PI薄膜的损伤机理 | 第46-64页 |
| 3.1 局部放电对PI薄膜的损伤作用 | 第46-52页 |
| 3.1.1 局部放电对PI薄膜微观形貌的影响 | 第46-50页 |
| 3.1.2 PI薄膜的局部放电损伤过程 | 第50-52页 |
| 3.2 PI薄膜的降解机理 | 第52-56页 |
| 3.2.1 局部放电对PI分子链的作用 | 第52-54页 |
| 3.2.2 局部放电对PI薄膜降解机理分析 | 第54-55页 |
| 3.2.3 纳米填充物在老化过程中的作用 | 第55-56页 |
| 3.3 局部放电对变频电机绕组匝绝缘的损伤机理 | 第56-63页 |
| 3.3.1 匝间绝缘的局部放电特性 | 第57-59页 |
| 3.3.2 匝间绝缘的微观形貌特征 | 第59-63页 |
| 3.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第4章 PI/Al_2O_3纳米复合薄膜的制备及其介电性能研究 | 第64-80页 |
| 4.1 Al_2O_3纳米粒子表面改性 | 第64-66页 |
| 4.1.1 实验原理 | 第64-65页 |
| 4.1.2 表面改性效果 | 第65-66页 |
| 4.2 PI/Al_2O_3纳米复合薄膜的制备 | 第66-71页 |
| 4.2.1 实验原理 | 第66-68页 |
| 4.2.2 PI/Al_2O_3纳米复合薄膜的结构表征 | 第68-70页 |
| 4.2.3 PI/Al_2O_3纳米复合薄膜的力学性能分析 | 第70-71页 |
| 4.3 PI/Al_2O_3纳米复合薄膜的绝缘性能 | 第71-78页 |
| 4.3.1 PI/Al_2O_3纳米复合薄膜的介电性能测试与分析 | 第71-75页 |
| 4.3.2 PI/Al_2O_3纳米复合薄膜的击穿场强 | 第75-76页 |
| 4.3.3 PI/Al_2O_3纳米复合薄膜的耐局部放电性能 | 第76-78页 |
| 4.4 本章小结 | 第78-80页 |
| 结论 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-94页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文和成果 | 第94-96页 |
