| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 半导体概述 | 第9-10页 |
| 1.2 过渡金属氧化物半导体材料的性质 | 第10-12页 |
| 1.3 M_2O_5(M=V, Nb, Ta)化合物的研究现状 | 第12-15页 |
| 1.4 选题目的与意义 | 第15-16页 |
| 1.5 研究思路与方法 | 第16-17页 |
| 第2章 第一性原理 | 第17-27页 |
| 2.1 量子力学和固体物理基础 | 第17-21页 |
| 2.1.1 薛定谔方程 | 第18-19页 |
| 2.1.2 Born-Oppenheimer近似 | 第19页 |
| 2.1.3 平均场近似 | 第19-20页 |
| 2.1.4 Hartree-Fock近似 | 第20-21页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第21-26页 |
| 2.2.1 Thomas-Fermi-Dirac理论 | 第21-22页 |
| 2.2.2 Hohenberg-Kohn理论 | 第22-23页 |
| 2.2.3 Kohn-Sham方程 | 第23-24页 |
| 2.2.4 交换关联泛函 | 第24-25页 |
| 2.2.5 赝势方法 | 第25-26页 |
| 2.3 计算程序简介 | 第26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 单斜晶系M_2O_5 (M=V, Nb, Ta)的理论研究 | 第27-43页 |
| 3.1 计算方法和理论模型 | 第27-28页 |
| 3.1.1 计算方法 | 第27页 |
| 3.1.2 理论模型 | 第27-28页 |
| 3.2 结构优化 | 第28-29页 |
| 3.3 电子结构 | 第29-31页 |
| 3.3.1 能带结构和态密度 | 第29-30页 |
| 3.3.2 压力对电子性质的影响 | 第30-31页 |
| 3.4 光学性质 | 第31-36页 |
| 3.4.1 介电函数 | 第32-33页 |
| 3.4.2 其他光学常数 | 第33-36页 |
| 3.5 弹性性质 | 第36-39页 |
| 3.5.1 弹性理论 | 第36-37页 |
| 3.5.2 弹性性质 | 第37-39页 |
| 3.6 最小热导率 | 第39-42页 |
| 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 正交晶系M_2O_5 (M=V, Nb, Ta)的理论研究 | 第43-57页 |
| 4.1 计算方法和理论模型 | 第43-45页 |
| 4.1.1 计算方法 | 第43页 |
| 4.1.2 理论模型 | 第43-45页 |
| 4.2 电子结构 | 第45-48页 |
| 4.2.1 能带结构和态密度 | 第45-47页 |
| 4.2.2 压力对电子性质的影响 | 第47-48页 |
| 4.3 光学性质 | 第48-52页 |
| 4.3.1 介电函数 | 第48-49页 |
| 4.3.2 其他光学常数 | 第49-52页 |
| 4.4 弹性性质 | 第52-55页 |
| 4.5 最小热导率 | 第55-56页 |
| 本章小结 | 第56-57页 |
| 第5章 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 附录：攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第71页 |
