ZnO/BiFeO3双层膜电阻开关特性的研究
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第1章 绪论 | 第10-27页 |
| 1.1 新型非挥发性存储器简介 | 第10-12页 |
| 1.1.1 铁电储存器(FeRAM) | 第10-11页 |
| 1.1.2 相变存储器(PRAM) | 第11-12页 |
| 1.1.3 阻变存储器(RRAM) | 第12页 |
| 1.2 电阻开关效应 | 第12-20页 |
| 1.2.1 电阻开关的分类 | 第12-13页 |
| 1.2.2 电阻开关的材料 | 第13页 |
| 1.2.3 电阻开关的电流传导机制 | 第13-15页 |
| 1.2.4 电阻开关的产生机制 | 第15-20页 |
| 1.3 铁酸铋的基本性质 | 第20-24页 |
| 1.3.1 铁酸铋的结构 | 第20-21页 |
| 1.3.2 铁酸铋的多铁性 | 第21-24页 |
| 1.3.3 铁酸铋的光电性质 | 第24页 |
| 1.4 氧化锌的基本性质 | 第24-25页 |
| 1.4.1 氧化锌的结构 | 第24-25页 |
| 1.4.2 氧化锌的物理特性 | 第25页 |
| 1.5 本课题的研究意义和内容 | 第25-27页 |
| 第2章 纳米薄膜制备及表征 | 第27-37页 |
| 2.1 纳米薄膜的制备 | 第27-32页 |
| 2.1.1 磁控溅射 | 第27-29页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积 | 第29-30页 |
| 2.1.3 分子束外延 | 第30-31页 |
| 2.1.4 化学气相沉积 | 第31页 |
| 2.1.5 溶胶-凝胶法 | 第31-32页 |
| 2.2 薄膜样品的表征技术 | 第32-37页 |
| 2.2.1 薄膜厚度的测量 | 第32-33页 |
| 2.2.2 薄膜表面形貌的表征 | 第33-34页 |
| 2.2.3 薄膜成份的测定 | 第34-35页 |
| 2.2.4 薄膜结构的测定 | 第35-37页 |
| 第3章 ZnO/BFO双层膜的电阻开关特性 | 第37-47页 |
| 3.1 ZnO/BFO样品的制备 | 第37-38页 |
| 3.2 ZnO/BFO样品的表征 | 第38-39页 |
| 3.3 ZnO/BFO样品的阻变特性 | 第39-47页 |
| 3.3.1 退火温度对I-V特性的影响 | 第40-41页 |
| 3.3.2 不同扫描电压下的I-V特性 | 第41页 |
| 3.3.3 样品的电阻开关效应 | 第41-42页 |
| 3.3.4 电阻开关效应的稳定性 | 第42-43页 |
| 3.3.5 光照对电阻开关的影响 | 第43-44页 |
| 3.3.6 机制解释 | 第44-47页 |
| 第4章 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-55页 |
| 硕士期间论文发表情况 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
