| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 引言 | 第17-41页 |
| 1.1 物理学中的拓扑起源 | 第17-18页 |
| 1.2 拓扑绝缘体 | 第18-22页 |
| 1.3 拓扑半金属 | 第22-35页 |
| 1.3.1 狄拉克半金属 | 第24-26页 |
| 1.3.2 外尔半金属 | 第26-35页 |
| 1.4 石墨插层超导体简介 | 第35-38页 |
| 1.4.1 石墨插层化合物的超导电性 | 第36-37页 |
| 1.4.2 石墨插层化合物的制备方法 | 第37-38页 |
| 1.5 本章小结 | 第38-41页 |
| 第二章 角分辨光电子能谱原理及技术 | 第41-77页 |
| 2.1 角分辨光电子能谱的原理 | 第41-49页 |
| 2.1.1 光电效应 | 第41-44页 |
| 2.1.2 光电子谱的理论模型 | 第44-46页 |
| 2.1.3 突发近似 | 第46-47页 |
| 2.1.4 单粒子谱函数 | 第47-48页 |
| 2.1.5 矩阵元效应 | 第48-49页 |
| 2.2 角分辨光电子能谱系统 | 第49-59页 |
| 2.2.1 光源系统 | 第49-52页 |
| 2.2.2 超高真空系统 | 第52-56页 |
| 2.2.3 样品传输系统 | 第56页 |
| 2.2.4 低温样品台 | 第56-58页 |
| 2.2.5 能量分析器 | 第58-59页 |
| 2.2.6 其他辅助系统 | 第59页 |
| 2.3 角分辨光电子能谱技术的发展 | 第59-75页 |
| 2.3.1 能量连续可调角分辨光电子能谱仪 | 第60-62页 |
| 2.3.2 飞行时间角分辨光电子能谱仪 | 第62-68页 |
| 2.3.3 自旋分辨角分辨光电子能谱仪 | 第68-74页 |
| 2.3.4 极低温大动量角分辨光电子能谱仪 | 第74-75页 |
| 2.4 本章小结 | 第75-77页 |
| 第三章 WTe_2的角分辨光电子能谱研究 | 第77-103页 |
| 3.1 引言 | 第77-80页 |
| 3.2 实验方法 | 第80-82页 |
| 3.2.1 单晶生长 | 第80-81页 |
| 3.2.2 ARPES实验条件 | 第81页 |
| 3.2.3 理论计算方法 | 第81-82页 |
| 3.3 WTe_2角分辨光电子能谱的结果 | 第82-101页 |
| 3.3.1 半球形分析器氦灯光源测量结果 | 第82-83页 |
| 3.3.2 半球形分析器激光光源测量结果 | 第83-85页 |
| 3.3.3 厘清WTe_2复杂的电子结构 | 第85-88页 |
| 3.3.4 WTe_2电子结构随温度的演变 | 第88-93页 |
| 3.3.5 WTe_2表面态随动量与能量的演变 | 第93-96页 |
| 3.3.6 WTe_2三种不同的电子结构 | 第96-99页 |
| 3.3.7 WTe_2的CD（Circular Dichroism）效应 | 第99-101页 |
| 3.4 本章小结 | 第101-103页 |
| 第四章 石墨插层化合物CaC_6、SrC_6以及BaC_6的角分辨光电子能谱研究 | 第103-125页 |
| 4.1 引言 | 第103页 |
| 4.2 实验方法 | 第103-108页 |
| 4.2.1 单晶生长 | 第103-106页 |
| 4.2.2 ARPES实验方法 | 第106页 |
| 4.2.3 理论计算方法 | 第106-108页 |
| 4.3 角分辨光电子能谱结果 | 第108-122页 |
| 4.3.1 CaC_6、SrC_6以及BaC_6的费米面 | 第108-111页 |
| 4.3.2 CaC_6、SrC_6以及BaC_6的能带结构 | 第111-116页 |
| 4.3.3 CaC_6、SrC_6以及BaC_6的电声子相互作用 | 第116-122页 |
| 4.4 本章小结 | 第122-125页 |
| 第五章 总结 | 第125-127页 |
| 参考文献 | 第127-137页 |
| 发表文章目录 | 第137-139页 |
| 简历 | 第139-140页 |
| 致谢 | 第140-142页 |
