| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第9页 |
| 1.2 测试方法简介 | 第9-15页 |
| 1.2.1 3ω法 | 第9-12页 |
| 1.2.2 悬空微器件法 | 第12-13页 |
| 1.2.3 稳态T型法 | 第13-14页 |
| 1.2.4 瞬态光/电热法 | 第14-15页 |
| 1.3 研究目的及主要内容 | 第15-17页 |
| 1.3.1 研究目的 | 第15页 |
| 1.3.2 主要内容 | 第15-17页 |
| 第二章 导热系数测试理论模型 | 第17-31页 |
| 2.1 经典3ω法 | 第17-22页 |
| 2.1.1 热学模型 | 第17-21页 |
| 2.1.2 电学模型 | 第21-22页 |
| 2.2 一维纳米结构3ω法 | 第22-26页 |
| 2.2.1 3ω法理论模型 | 第22-25页 |
| 2.2.2 辐射热损失 | 第25-26页 |
| 2.2.3 3ω法不确定度分析 | 第26页 |
| 2.3 悬空微器件法 | 第26-31页 |
| 2.3.1 单锁相放大器法 | 第26-28页 |
| 2.3.2 锁相放大器法 | 第28-29页 |
| 2.3.3 差分电桥法 | 第29-31页 |
| 第三章 3ω法测试平台搭建 | 第31-40页 |
| 3.1 3ω法测试电路 | 第31-32页 |
| 3.2 微器件结构 | 第32页 |
| 3.3 样品制备 | 第32-33页 |
| 3.4 3ω法实验方法 | 第33-34页 |
| 3.5 3ω法测试平台标定 | 第34-39页 |
| 3.5.1 温度标定 | 第34-35页 |
| 3.5.2 体态Si标定 | 第35-36页 |
| 3.5.3 Pt线标定 | 第36-39页 |
| 3.5.4 Pt线导热系数不确定度分析 | 第39页 |
| 3.6 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 单根Bi_2Se_3纳米带导热系数3ω法和悬空微器件法的对比研究 | 第40-50页 |
| 4.1 单根Bi_2Se_3纳米带3ω法导热系数 | 第40-46页 |
| 4.1.1 3ω电压正比电流立方 | 第40-41页 |
| 4.1.2 电阻温度微分 | 第41-42页 |
| 4.1.3 导热系数 | 第42-44页 |
| 4.1.4 假设条件 | 第44页 |
| 4.1.5 辐射热损失 | 第44-45页 |
| 4.1.6 Bi_2Se_3纳米带导热系数不确定度分析 | 第45-46页 |
| 4.2 单根Bi_2Se_3纳米带悬空微器件法导热系数 | 第46-47页 |
| 4.3 3ω法和悬空微器件法导热系数对比 | 第47-49页 |
| 4.3.1 3ω法和悬空微器件法结果对比 | 第47页 |
| 4.3.2 3ω法和悬空微器件法对比结论 | 第47-48页 |
| 4.3.3 3ω法和悬空微器件法优缺点 | 第48-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 辐射换热对悬空微器件温度的影响 | 第50-55页 |
| 5.1 系统结构 | 第50-51页 |
| 5.2 实验测试 | 第51-53页 |
| 5.2.1 列直插式封装温度标定 | 第51-52页 |
| 5.2.2 SiN_x薄膜温度标定 | 第52-53页 |
| 5.3 实验结论 | 第53-55页 |
| 第六章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 6.1 总结 | 第55页 |
| 6.2 展望 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第62页 |
