| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第16-32页 |
| 1.1 光电探测器的简介与发展 | 第16-18页 |
| 1.2 光电探测器的研究内容 | 第18-28页 |
| 1.2.1 光电探测器的原理 | 第18-20页 |
| 1.2.2 光电探测器的分类 | 第20-25页 |
| 1.2.3 光电探测器的主要指标 | 第25-28页 |
| 1.3 局域表面等离子体共振与陷光效应 | 第28-31页 |
| 1.3.1 氧化铟锡纳米颗粒的介绍 | 第28-30页 |
| 1.3.2 陷光效应 | 第30-31页 |
| 1.4 本课题研究背景与主要内容 | 第31-32页 |
| 第二章 n型锗纳米针阵列制备和石墨烯的合成与转移 | 第32-42页 |
| 2.1 实验所用药品及用途 | 第32-33页 |
| 2.2 聚苯乙烯微球自组装与表征 | 第33-37页 |
| 2.2.1 聚苯乙烯微球自组装方法 | 第33-35页 |
| 2.2.2 聚苯乙烯微球气-液界面自组装 | 第35-37页 |
| 2.3 n型锗纳米针刻蚀与表征 | 第37-39页 |
| 2.4 石墨烯的合成与转移 | 第39-41页 |
| 2.4.1 石墨烯的合成 | 第39-40页 |
| 2.4.2 大面积石墨烯的转移 | 第40-41页 |
| 2.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 具有等离子效应的氧化铟锡纳米颗粒的修饰与表征 | 第42-46页 |
| 3.1 非金属等离子体纳米结构的介绍 | 第42页 |
| 3.2 氧化铟锡的修饰与表征 | 第42-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 基于锗纳米针阵列等离子增强的光探测器研究 | 第46-55页 |
| 4.1 基于表面等离子体效应光探测器研究现状 | 第46-51页 |
| 4.1.1 近红外光电探测器的结构表征 | 第46-47页 |
| 4.1.2 结构Ⅰ肖特基结近红外光电探测器的光电特性 | 第47-51页 |
| 4.2 ITONPs@SLG/GeNNs肖特基结近红外光电探测器 | 第51-54页 |
| 4.2.1 光谱分析及肖特基结能带理论分析 | 第51-52页 |
| 4.2.2 光学模拟分析 | 第52-54页 |
| 4.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 全文总结 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第62-63页 |
