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半电波暗室的低频性能研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第8-13页
    1.1 研究背景及意义第8-9页
    1.2 国内外研究现状第9-11页
    1.3 本文的主要研究内容和目的第11-13页
第二章 电磁兼容测试场地及性能参数研究第13-29页
    2.1 引言第13页
    2.2 电磁兼容测试场地第13-18页
        2.2.1 开阔场试验场地第13-14页
        2.2.2 屏蔽室第14-15页
        2.2.3 电波暗室第15-17页
        2.2.4 横电波小室第17页
        2.2.5 混响室第17页
        2.2.6 预兼容暗室第17-18页
    2.3 吸波材料第18-22页
        2.3.1 材料分类第18-19页
        2.3.2 吸波原理第19-22页
    2.4 半电波暗室的主要性能指标第22-27页
        2.4.1 屏蔽效能(SE)第22-24页
        2.4.2 场均匀性(FU)第24-26页
        2.4.3 归一化场地衰减(NSA)第26-27页
    2.5 本章小结第27-29页
第三章 半电波暗室基础分析与研究第29-44页
    3.1 引言第29页
    3.2 铁氧体的性能研究第29-36页
        3.2.1 铁氧体材料参数第29页
        3.2.2 铁氧体的理论分析第29-31页
        3.2.3 铁氧体的参数拟合第31-34页
        3.2.4 铁氧体的建模仿真与测试第34-36页
    3.3 屏蔽室的谐振分析第36-43页
        3.3.1 屏蔽室的谐振分析第36-39页
        3.3.2 谐振的仿真分析第39-43页
    3.4 本章小结第43-44页
第四章 半电波暗室场均匀性仿真与实验研究第44-62页
    4.1 引言第44页
    4.2 半电波暗室内的场强仿真分析第44-50页
        4.2.1 屏蔽室的电场分布第44-47页
        4.2.2 半电波暗室的电场分布第47-50页
    4.3 场均匀性测试方法第50-51页
        4.3.1 恒定功率法第50-51页
        4.3.2 恒定场强法第51页
    4.4 场均匀性全波仿真第51-57页
        4.4.1 场均匀性仿真布置第52-53页
        4.4.2 场均匀性仿真结果第53-55页
        4.4.3 半电波暗室尺寸对场均匀性的影响第55-57页
    4.5 场均匀性的仿真与实测对比第57-61页
    4.6 本章小结第61-62页
第五章 半电波暗室归一化场地衰减仿真与实验研究第62-79页
    5.1 引言第62页
    5.2 归一化场地衰减的理论计算模型第62-68页
        5.2.1 理论模型的建立第63-66页
        5.2.2 理论值与标准值的比较第66-68页
    5.3 归一化场地衰减的测试方法第68-70页
        5.3.1 传统的NSA测试法第68-69页
        5.3.2 场地参考法第69-70页
    5.4 归一化场地衰减的全波仿真分析第70-74页
        5.4.1 参考场地的场地衰减分析第70-71页
        5.4.2 半电波暗室的场地衰减分析第71-74页
    5.5 归一化场地衰减的仿真与实测对比第74-78页
    5.6 本章小结第78-79页
第六章 总结与展望第79-81页
    6.1 全文总结第79-80页
    6.2 后期展望第80-81页
致谢第81-82页
参考文献第82-86页
作者简介第86页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第86页

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