| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-27页 |
| 1.1 引言 | 第17页 |
| 1.2 雷达吸波材料的工作原理 | 第17-18页 |
| 1.3 电磁波吸收剂的类型及研究现状 | 第18-20页 |
| 1.3.1 电阻型吸波材料 | 第19-20页 |
| 1.3.2 电介质型吸波材料 | 第20页 |
| 1.3.3 磁介质型吸收剂 | 第20页 |
| 1.4 耐高温吸收剂研究现状 | 第20-22页 |
| 1.5 SiC粉体研究现状 | 第22-24页 |
| 1.5.1 SiC的性质 | 第22-23页 |
| 1.5.2 SiC粉体的制备方法 | 第23-24页 |
| 1.6 SiC材料掺杂 | 第24-25页 |
| 1.7 本论文的选题背景及研究内容 | 第25-27页 |
| 1.7.1 选题背景 | 第25页 |
| 1.7.2 研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 实验方案及研究方法 | 第27-33页 |
| 2.1 引言 | 第27页 |
| 2.2 实验方案 | 第27-29页 |
| 2.2.1 燃烧合成法制备B、Al共掺杂SiC粉体吸收剂 | 第27-28页 |
| 2.2.2 燃烧合成法制备B、N共掺杂SiC粉体吸收剂 | 第28-29页 |
| 2.2.3 燃烧合成法制备Al、N共掺杂SiC粉体吸收剂 | 第29页 |
| 2.3 合成设备 | 第29-30页 |
| 2.4 研究方法 | 第30-33页 |
| 2.4.1 X-射线衍射分析 | 第30页 |
| 2.4.2 X射线光电子能谱 | 第30-31页 |
| 2.4.3 场发射扫描电子显微镜 | 第31-32页 |
| 2.4.4 微波介电常数测试 | 第32-33页 |
| 第三章 B、Al共掺杂SiC粉体吸收剂的制备及性能研究 | 第33-47页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 B掺杂SiC纳米粉体的合成及介电性能 | 第33-37页 |
| 3.2.1 实验过程 | 第33-34页 |
| 3.2.2 合成粉体的物相和形貌 | 第34-35页 |
| 3.2.3 合成粉体的介电性能 | 第35-37页 |
| 3.3 Al掺杂SiC纳米粉体的合成及介电性能 | 第37-40页 |
| 3.3.1 实验过程 | 第37页 |
| 3.3.2 合成粉体的物相 | 第37-38页 |
| 3.3.3 合成粉体的介电性能 | 第38-40页 |
| 3.4 B、Al共掺杂SiC纳米粉体的合成及介电性能 | 第40-46页 |
| 3.4.1 不同Al含量变化的影响 | 第40-43页 |
| 3.4.2 不同B含量变化的影响 | 第43-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 B、N共掺杂SiC粉体吸收剂的制备及性能研究 | 第47-63页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 NH4Cl氮化剂的影响 | 第47-53页 |
| 4.2.1 实验过程 | 第47页 |
| 4.2.2 不同N掺杂量时SiC粉体的制备及介电性能 | 第47-50页 |
| 4.2.3 不同B掺杂量时SiC粉体的合成及介电性能 | 第50-53页 |
| 4.3 Si3N4氮化剂的影响 | 第53-61页 |
| 4.3.1 不同N掺杂量时SiC粉体的合成及介电性能 | 第53-58页 |
| 4.3.2 不同B掺杂量时SiC粉体的合成及介电性能 | 第58-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 Al、N共掺杂SiC粉体吸收剂的制备及性能研究 | 第63-71页 |
| 5.1 引言 | 第63页 |
| 5.2 不同N掺杂量时SiC粉体的合成及介电性能 | 第63-66页 |
| 5.2.1 实验过程 | 第63页 |
| 5.2.2 合成粉体的物相及形貌 | 第63-65页 |
| 5.2.3 合成粉体的介电性能 | 第65-66页 |
| 5.3 不同Al掺杂时SiC粉体的合成及介电性能 | 第66-69页 |
| 5.3.1 合成粉体的物相及形貌 | 第66-67页 |
| 5.3.2 合成粉体的介电性能 | 第67-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 第六章 结论 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 作者简介 | 第81-82页 |
