用MC方法模拟PLD铁电体薄膜的生长过程
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·薄膜的特性和制作方法 | 第8-9页 |
| ·薄膜生长的分析研究技术 | 第9-10页 |
| ·国内外计算机模拟研究的现状 | 第10-12页 |
| ·本文主要工作 | 第12-13页 |
| 参考文献 | 第13-14页 |
| 第二章 钙钛矿基本结构和薄膜的形成过程 | 第14-30页 |
| ·钙钛矿铁电体基本结构 | 第14页 |
| ·钙钛矿铁电体的制膜技术 | 第14-18页 |
| ·磁控溅射 | 第15-16页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第16页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)技术 | 第16-18页 |
| ·薄膜在基片上的形成和生长过程 | 第18-26页 |
| ·薄膜的亚单层生长 | 第18-19页 |
| ·表面扩散 | 第19-20页 |
| ·凝聚过程 | 第20-26页 |
| ·薄膜的生长模式及转变 | 第26-28页 |
| ·薄膜的三种生长模式 | 第26页 |
| ·粒子的层间传输 | 第26-28页 |
| ·本章小节 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-30页 |
| 第三章 蒙特卡罗方法原理和模型的建立 | 第30-41页 |
| ·薄膜生长过程的研究方法 | 第30页 |
| ·蒙特卡罗(Monte Carlo)方法应用 | 第30-34页 |
| ·蒙特卡罗方法 | 第30-31页 |
| ·模拟生长过程的算法 | 第31-33页 |
| ·蒙特卡罗方法的优点 | 第33-34页 |
| ·系统中相互作用势 | 第34页 |
| ·基底表面结构理想化模型 | 第34-35页 |
| ·计算机模拟生长过程 | 第35-38页 |
| ·粒子在基底表面的三种运动形式 | 第35-37页 |
| ·模型的建立 | 第37-38页 |
| ·本章小节 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第四章 模拟结果与讨论 | 第41-55页 |
| ·二维生长的模拟结果分析 | 第41-45页 |
| ·基底温度对岛密度的影响 | 第41-42页 |
| ·沉积速率对岛密度的影响 | 第42-43页 |
| ·粒子间相互作用能的影响 | 第43-45页 |
| ·薄膜三维生长的模拟结果分析 | 第45-52页 |
| ·模型的算法 | 第45-46页 |
| ·晶胞间的作用势 | 第46-47页 |
| ·模拟结果分析 | 第47-52页 |
| ·本章小节 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-57页 |
| ·论文总结 | 第55-56页 |
| ·未来展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
