| 内容摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 有机半导体简介 | 第11-13页 |
| 1.3 能级与半导体器件效率的联系 | 第13-17页 |
| 1.4 本论文的主要内容和创新点 | 第17-19页 |
| 1.4.1 本论文的主要内容 | 第17页 |
| 1.4.2 本论文的创新点 | 第17-19页 |
| 第二章 密度泛函理论的发展 | 第19-25页 |
| 2.1 密度泛函理论的发展历程 | 第19-23页 |
| 2.1.1 Thomas-Fermi模型 | 第19-21页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第21页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程及各种类型的密度泛函 | 第21-23页 |
| 2.2 最优调控密度泛函方法 | 第23-25页 |
| 第三章 有机半导体的电子电离能、亲和势和极化能的密度泛函理论研究 | 第25-53页 |
| 3.1 前言 | 第25-26页 |
| 3.2 研究模型与方法 | 第26-28页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第28-52页 |
| 3.3.1 最优调控密度泛函方法表现 | 第30-44页 |
| 3.3.2 理论计算值-ε_(HOMO)和-ε_(LUMO)描述实验测量值IP和EA的表现 | 第44-46页 |
| 3.3.3 理论计算值IP和EA描述实验测量值IP和EA的表现 | 第46-48页 |
| 3.3.4 计算值预测极化能的表现 | 第48-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 总结与展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-64页 |
| 硕士在学期间发表论文 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
