基于阵列刻蚀的微通道板制备技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| ·引言 | 第9-11页 |
| ·夜视技术 | 第9-10页 |
| ·MEMS工艺技术 | 第10-11页 |
| ·像增强器中的微通道板 | 第11-14页 |
| ·微通道板简介 | 第11页 |
| ·微通道板的结构和倍增原理 | 第11-13页 |
| ·传统微通道板电子倍增器技术 | 第13页 |
| ·硅微通道板电子倍增器技术 | 第13-14页 |
| ·微通道板国内外研究现状 | 第14-15页 |
| ·国外发展状况 | 第14页 |
| ·国内发展状况 | 第14-15页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第15-16页 |
| 2 微通道阵列的微加工原理 | 第16-28页 |
| ·基体材料的选取 | 第16-17页 |
| ·光刻工艺 | 第17-20页 |
| ·光刻工艺基本原理 | 第17-18页 |
| ·光刻的工艺流程 | 第18-20页 |
| ·剥离工艺原理 | 第20-21页 |
| ·湿法腐蚀原理 | 第21-23页 |
| ·湿法腐蚀概述 | 第21-22页 |
| ·湿法腐蚀的原理 | 第22-23页 |
| ·反应离子刻蚀原理 | 第23-27页 |
| ·等离子体产生的物理机理 | 第23-24页 |
| ·反应离子刻蚀的机理 | 第24-26页 |
| ·反应离子深刻蚀 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 3 光刻工艺研究 | 第28-35页 |
| ·光刻掩模版的绘制 | 第28-29页 |
| ·光刻工艺实验 | 第29-30页 |
| ·硅基片的预处理 | 第29页 |
| ·光刻工艺实验流程 | 第29-30页 |
| ·光刻工艺参数对光刻质量的影响 | 第30-34页 |
| ·显影时间对光刻质量的影响 | 第30-31页 |
| ·反转烘温度对光刻质量的影响 | 第31-33页 |
| ·曝光时间对光刻质量的影响 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 4 掩蔽层图形化研究 | 第35-44页 |
| ·磁控溅射铝膜 | 第35-36页 |
| ·湿法腐蚀工艺 | 第36-41页 |
| ·湿法腐蚀铝膜的基本原理 | 第36页 |
| ·湿法腐蚀结果影响因素分析 | 第36-41页 |
| ·剥离工艺 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 5 反应离子刻蚀微孔阵列的研究 | 第44-54页 |
| ·刻蚀气体的选择 | 第44-45页 |
| ·刻蚀工艺的选择 | 第45页 |
| ·低温反应离子刻蚀 | 第45-53页 |
| ·硅槽结构的刻蚀 | 第46-50页 |
| ·硅微通道阵列的刻蚀 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 6 结论与展望 | 第54-56页 |
| ·结论 | 第54-55页 |
| ·展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
