| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| ·ZnO 材料的概述 | 第10-14页 |
| ·ZnO 的物理性能 | 第10-12页 |
| ·ZnO 的发光特性 | 第12-13页 |
| ·ZnO 材料的应用 | 第13-14页 |
| ·ZnO 基异质结光电器件的研究进展 | 第14-16页 |
| ·本文的主要研究内容及意义 | 第16-18页 |
| 第2章 制备方法与表征手段 | 第18-24页 |
| ·样品的制备 | 第18-21页 |
| ·脉冲激光沉积技术 | 第18-20页 |
| ·低温水热合成技术 | 第20-21页 |
| ·样品的表征 | 第21-24页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第21-22页 |
| ·X 射线衍射（XRD）仪 | 第22页 |
| ·光致发光（PL） | 第22-23页 |
| ·光电性能测试 | 第23-24页 |
| 第3章 ZnO 材料的制备及性能表征 | 第24-32页 |
| ·ZnO 薄膜材料的制备及其发光特性 | 第24-29页 |
| ·衬底温度对 ZnO 薄膜的影响 | 第24-26页 |
| ·生长氧压对 ZnO 薄膜的影响 | 第26-27页 |
| ·退火温度对 ZnO 薄膜的影响 | 第27-29页 |
| ·ZnO 纳米棒的制备及其发光特性 | 第29-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 第4章 ZnO/GaAs 异质结的制备及其红外探测性能 | 第32-45页 |
| ·ZnO 薄膜/GaAs 异质结的制备及性能表征 | 第32-36页 |
| ·ZnO 薄膜/GaAs 异质结光电探测器 | 第36-41页 |
| ·ZnO 纳米棒/GaAs 异质结的制备及性能表征 | 第41-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 第5章 全文总结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第53页 |