| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| ·有机-无机混杂材料的应用背景 | 第12-16页 |
| ·混杂材料的化学背景和一般合成策略 | 第16-22页 |
| ·化学背景 | 第16-18页 |
| ·一般合成策略 | 第18-22页 |
| ·混杂材料处理过程 | 第22-23页 |
| ·混杂材料应用 | 第23-28页 |
| ·保护性和装饰性涂料 | 第23-24页 |
| ·能源应用 | 第24页 |
| ·光电器件 | 第24-28页 |
| 第二章 以两亲性苝四羧酸二酰亚胺控制制备规则有序的 CdS 纳米颗粒以及混杂体系的组装、电子转移和半导体性质 | 第28-44页 |
| ·分子的设计 | 第28-29页 |
| ·实验部分 | 第29-30页 |
| ·实验用品 | 第29页 |
| ·纳米材料的形成和表征 | 第29-30页 |
| ·器件组装 | 第30页 |
| ·结果与讨论 | 第30-43页 |
| ·PDI 单层膜的π-A 曲线 | 第30-32页 |
| ·X 射线衍射图谱 | 第32-35页 |
| ·不同晶相的 CdS-PDI 纳米材料的形貌 | 第35-36页 |
| ·纳米材料的形成机理 | 第36-38页 |
| ·紫外-可见吸收光谱和荧光发射光谱 | 第38-39页 |
| ·CdS-PDI 混杂膜内电子转移 | 第39-41页 |
| ·CdS-PDI 混杂体系的半导体性质 | 第41-43页 |
| ·结论 | 第43-44页 |
| 第三章 有序性 ZnS/两亲性苝四羧酸二酰亚胺纳米混合物的自组装、电子转移和可转换的薄膜场效应晶体管性质 | 第44-68页 |
| ·分子的设计 | 第44-45页 |
| ·实验部分 | 第45-46页 |
| ·实验用品 | 第45页 |
| ·纳米材料的形成和表征 | 第45-46页 |
| ·器件组装 | 第46页 |
| ·结果和讨论 | 第46-66页 |
| ·目标产物的合成 | 第46-53页 |
| ·PDI 单层膜的π-A 曲线 | 第53-54页 |
| ·X 射线衍射图谱 | 第54-56页 |
| ·不同晶相的 ZnS/PDI 纳米材料的形貌 | 第56-57页 |
| ·纳米材料的形成机理 | 第57-58页 |
| ·紫外-可见吸收光谱和荧光发射光谱 | 第58-59页 |
| ·ZnS/PDI 混杂膜中的电子转移 | 第59-62页 |
| ·可转化的薄膜场效应晶体管（TFT）测试 | 第62-66页 |
| ·结论 | 第66-68页 |
| 第四章 一种制备具有优异半导体性质的两亲性苝四羧酸二酰亚胺/ZnS 纳米混合物的简易方法 | 第68-74页 |
| ·分子的设计 | 第68-69页 |
| ·实验部分 | 第69-70页 |
| ·实验用品 | 第69页 |
| ·PDI-OH 纯膜和 PDI-OH/ZnS 纳米混合物的制备和表征 | 第69-70页 |
| ·结果与讨论 | 第70-73页 |
| ·紫外-可见吸收光谱 | 第70页 |
| ·X 射线衍射光谱 | 第70-71页 |
| ·PDI-OH 纯膜和 PDI-OH/ZnS 纳米混合物的形貌 | 第71-72页 |
| ·半导体性质 | 第72-73页 |
| ·结论 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-86页 |
| 致谢 | 第86-88页 |
| 附录 | 第88-89页 |
