| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·非挥发性存储器简介 | 第7-8页 |
| ·新型非挥发性存储器发展概述 | 第8-12页 |
| ·铁电存储器（FeRAM） | 第8-9页 |
| ·磁阻存储器（MRAM） | 第9-10页 |
| ·相变存储器（PRAM） | 第10-11页 |
| ·阻变存储器（RRAM） | 第11-12页 |
| ·研究内容与编排 | 第12-15页 |
| 第二章 RRAM 简介 | 第15-37页 |
| ·RRAM 的基本工作机理 | 第15-18页 |
| ·Forming 过程 | 第16-17页 |
| ·SET 过程以及 RESET 过程 | 第17-18页 |
| ·RRAM 电学参数 | 第18-20页 |
| ·操作电压 | 第18-19页 |
| ·操作电流 | 第19页 |
| ·高低电阻比 | 第19页 |
| ·耐受性 | 第19页 |
| ·保持性 | 第19页 |
| ·操作速度 | 第19-20页 |
| ·RRAM 器件结构 | 第20-22页 |
| ·M-I-M 结构 | 第20页 |
| ·帽层结构 | 第20-21页 |
| ·多层薄膜结构 | 第21-22页 |
| ·胶囊结构 | 第22页 |
| ·RRAM 阻变层材料 | 第22-29页 |
| ·复杂氧化物材料 | 第23页 |
| ·三元钙钛矿材料 | 第23-24页 |
| ·有机材料 | 第24-25页 |
| ·固态电解液材料 | 第25-27页 |
| ·二元金属氧化物材料 | 第27-29页 |
| ·RRAM 阻变机制 | 第29-33页 |
| ·Pool-Frenkel 机制 | 第29-30页 |
| ·空间电荷限制电流（SCLC）机制 | 第30页 |
| ·肖特基发射（Schottky Emission）机制 | 第30-31页 |
| ·导电细丝（Conductive filament）机制 | 第31-33页 |
| ·RRAM 电路结构 | 第33-35页 |
| ·1R 单元结构 | 第33-34页 |
| ·1D1R 单元结构 | 第34-35页 |
| ·1T1R 单元结构 | 第35页 |
| ·小结 | 第35-37页 |
| 第三章 二元氧化物 RRAM 器件制备工艺及流程 | 第37-47页 |
| ·二元金属氧化物阻变存储器单元设计 | 第37-38页 |
| ·薄膜的制备 | 第38-41页 |
| ·SiN_x薄膜制备 | 第38-39页 |
| ·二元金属氧化物薄膜制备 | 第39-40页 |
| ·金属层薄膜的制备 | 第40-41页 |
| ·二元金属氧化物阻性存储器工艺流程 | 第41-45页 |
| ·小结 | 第45-47页 |
| 第四章 RRAM 的电学特性测试及阻变机制分析 | 第47-53页 |
| ·Au/Ti/TiO2/Au 器件 | 第47-49页 |
| ·Au/Ti/TiO2/Al2O3/Au/Ti 器件 | 第49-50页 |
| ·Au/Ti/La2O3/Au 器件 | 第50-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
