| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-19页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·纳米材料的物理化学性能 | 第8-10页 |
| ·半导体材料的发光性能 | 第10-12页 |
| ·In_2O_3材料的基本性质 | 第12-15页 |
| ·研究的目的与意义 | 第15-16页 |
| ·In_2O_3纳米材料的国内外研究现状 | 第16-18页 |
| ·主要研究工作 | 第18页 |
| ·本章小结 | 第18-19页 |
| 第二章 In_2O_3纳米结构的制备技术及性能表征 | 第19-32页 |
| ·In_2O_3纳米结构的制备方法 | 第19-25页 |
| ·In_2O_3纳米材料的性能表征介绍 | 第25-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 纳米In_2O_3的制备及生长机制研究 | 第32-37页 |
| ·实验仪器与药品 | 第32-34页 |
| ·In_2O_3的制备方案及具体操作过程 | 第34-35页 |
| ·纳米In_2O_3的生长机制 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 纳米In_2O_3的性能表征 | 第37-49页 |
| ·温度对纳米结构生长的影响 | 第37-42页 |
| ·衬底位置对In_2O_3生长的影响 | 第42-46页 |
| ·退火对In_2O_3生长的影响 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 结论 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |