| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-8页 |
| ·引言 | 第6页 |
| ·本论文研究内容 | 第6-8页 |
| 第二章 文献综述 | 第8-16页 |
| ·红外探测器的历史和发展 | 第8-11页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·现代红外技术的发展历史 | 第9-11页 |
| ·肖特基器件的历史及现状 | 第11-14页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ半导体材料及GaSb的发展现状 | 第14-16页 |
| 第三章 GaSb钝化理论研究及金属-半导体肖特基接触理论研究 | 第16-31页 |
| ·GaSb钝化理论 | 第16-20页 |
| ·GaSb的材料性质 | 第16页 |
| ·表面纯化的发展 | 第16-19页 |
| ·小结 | 第19-20页 |
| ·金属-半导体肖特基接触理论研究 | 第20-31页 |
| ·肖特基势鱼形成的物理模型 | 第20-24页 |
| ·肖特基势鱼中载流子的输运过程 | 第24-28页 |
| ·肖特基型探测器性质与肖特基接触参数的关系 | 第28-30页 |
| ·小结 | 第30-31页 |
| 第四章 溴化腐烛对GaSb表面钝化的性质改善 | 第31-37页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·GaSb的溴化腐烛及硫化钝化 | 第31-32页 |
| ·GaSb表面处理的PL和AFM测试与分析 | 第32-35页 |
| ·结论 | 第35-37页 |
| 第五章 退火温度对Au/n-GaSb肖特基结型器件的电学影响 | 第37-43页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·Au/n-GaSb肖特基势垒二极管的制作和高温快速热退火 | 第37-39页 |
| ·Au/n-GaSb肖特基二极管退火后的电学性质测量分析 | 第39-42页 |
| ·结论 | 第42-43页 |
| 第六章 结论与展望 | 第43-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
