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微纳级SRAM器件单粒子效应理论模拟研究

致谢第1-8页
摘要第8-11页
ABSTRACT第11-17页
第一章 绪论第17-29页
   ·空间环境及基本辐射效应第17-22页
     ·空间辐射环境第17-20页
     ·器件主要辐射效应第20-22页
   ·单粒子效应相关研究及存在问题第22-25页
     ·单粒子效应相关研究第22-24页
     ·存在问题第24-25页
   ·本文研究工作及结构第25-29页
     ·研究对象及主要研究内容第25-26页
     ·本文的逻辑结构第26-29页
第二章 理论与计算方法简介第29-37页
   ·单粒子效应理论与计算方法概况第29-32页
     ·国外理论与计算方法研究状况第29-31页
     ·国内理论与计算方法研究状况第31-32页
   ·单粒子效应计算机模拟构造第32-37页
     ·粒子与器件相互作用中电荷收集过程第32-33页
     ·离子入射器件后径迹径向特性第33页
     ·重离子在器件中的时间及脉冲特性研究第33-34页
     ·质子诱发的单粒子翻转效应第34-37页
第三章 器件特性对单粒子效应的影响研究第37-53页
   ·灵敏单元尺寸对经典 RPP 模型的影响第37-44页
     ·空间辐射环境第37-38页
     ·RPP 计算模型第38-40页
     ·单粒子翻转率模型优化第40-41页
     ·计算结果及分析第41-43页
     ·结论第43-44页
   ·器件特性与能量沉积及影响因素的关系第44-53页
     ·计算模型建立第44-46页
     ·结果第46-49页
     ·讨论第49-51页
     ·小结第51-53页
第四章 粒子特性对单粒子效应的影响研究第53-79页
   ·倾角下单粒子效应的多位翻转特性第53-63页
     ·几何模型和重离子辐照第53-55页
     ·SEU/MBU 敏感性的影响因子研究第55-62页
     ·讨论第62页
     ·小结第62-63页
   ·LET 参量对单粒子单位翻转效应的影响第63-71页
     ·SRAM 单元几何模拟第63-64页
     ·重离子辐照模拟第64-66页
     ·结果与讨论第66-71页
     ·小结第71页
   ·LET 参量对单粒子多位翻转效应的影响第71-79页
     ·重离子辐照第71-74页
     ·结果与讨论第74-78页
     ·小结第78-79页
第五章 质子诱发单粒子效应的敏感性研究第79-93页
   ·质子、重离子引起单粒子效应机制异同性第79-81页
   ·基于在轨翻转率模型的质子、重离子等效性第81-84页
     ·FOM 预估方法第82页
     ·等效模型下的积分公式第82-84页
   ·低能质子直接电离效应第84-93页
     ·低能质子研究必要性第84-85页
     ·计算结果第85-88页
     ·讨论第88-91页
     ·小结第91-93页
第六章 适用于单粒子效应微观机理分析的技术方法研究第93-103页
   ·技术方法计算模型与验证第93-95页
     ·辐照参量与器件结构第93-94页
     ·模型准确性验证第94-95页
   ·适用于微观机理分析的技术方法第95-103页
     ·能量离散特性第96-97页
     ·离子径迹径向特性第97-98页
     ·粒子入射瞬态特性第98-100页
     ·边缘效应误差分析计算第100页
     ·小结第100-103页
第七章 结论与展望第103-109页
   ·总结第103-107页
     ·工作进展及结论第103-105页
     ·研究成果简述第105-107页
   ·展望第107-109页
参考文献第109-119页
作者简介及发表文章第119-122页

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