晶体硅中硼氧及其相关复合体的第一性原理研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-15页 |
| ·研究背景和意义 | 第11-13页 |
| ·本文研究目的和内容 | 第13页 |
| ·本文的结构安排及内容提要 | 第13-15页 |
| 第二章 文献综述 | 第15-39页 |
| 摘要 | 第15页 |
| ·引言 | 第15页 |
| ·硅中的光衰减缺陷—硼氧复合体 | 第15-22页 |
| ·B_iO_i缺陷模型 | 第16-17页 |
| ·B_sO_(2i)缺陷模型 | 第17-19页 |
| ·B_iO_(2i)缺陷模型 | 第19-21页 |
| ·潜在B_sO_(2i)缺陷模型 | 第21-22页 |
| ·光衰减现象的抑制 | 第22-28页 |
| ·掺碳抑制光衰减 | 第23-25页 |
| ·掺锗抑制光衰减 | 第25-27页 |
| ·掺锡抑制光衰减 | 第27-28页 |
| ·硅中的第四族元素杂质行为 | 第28-37页 |
| ·硅中的碳 | 第29-32页 |
| ·硅中的锗 | 第32-35页 |
| ·硅中的锡 | 第35-37页 |
| ·评论及存在的问题 | 第37-39页 |
| 第三章 理论研究方法 | 第39-47页 |
| ·从头计算方法及其三个近似处理 | 第39-42页 |
| ·非相对论近似 | 第40页 |
| ·绝热近似 | 第40-41页 |
| ·轨道近似 | 第41-42页 |
| ·密度泛函理论 | 第42-44页 |
| ·LDA和GGA近似 | 第44页 |
| ·CASTEP软件包功能介绍 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 间隙硼双氧复合体的第一性原理研究 | 第47-57页 |
| 摘要 | 第47页 |
| ·引言 | 第47-48页 |
| ·计算方法 | 第48-50页 |
| ·计算参数设置 | 第48-49页 |
| ·计算模型 | 第49页 |
| ·能级位置的计算方法 | 第49-50页 |
| ·计算结果与讨论 | 第50-55页 |
| ·间隙硼双氧复合体结构 | 第50-54页 |
| ·间隙硼双氧复合体能级位置 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 硅中第四族元素杂质与硼的相互作用 | 第57-67页 |
| 摘要 | 第57页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·计算方法 | 第58-59页 |
| ·计算参数设置 | 第58页 |
| ·计算模型 | 第58-59页 |
| ·计算结果与讨论 | 第59-66页 |
| ·硅中碳与硼的相互作用 | 第59-60页 |
| ·硅中锗与硼的相互作用 | 第60-63页 |
| ·硅中锡与硼的相互作用 | 第63-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 硅中第四族元素杂质与氧的相互作用 | 第67-85页 |
| 摘要 | 第67页 |
| ·引言 | 第67-69页 |
| ·计算方法 | 第69-70页 |
| ·计算参数设置 | 第69页 |
| ·计算模型 | 第69-70页 |
| ·计算结果与讨论 | 第70-83页 |
| ·碳与氧的相互作用 | 第70-75页 |
| ·锗与氧的相互作用 | 第75-80页 |
| ·锡与氧的相互作用 | 第80-83页 |
| ·本章小结 | 第83-85页 |
| 第七章 总结 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-95页 |
| 致谢 | 第95-97页 |
| 个人简历 | 第97-99页 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第99页 |
