| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目次 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·相变存储材料 | 第8-14页 |
| ·相变存储材料的发展历史 | 第8-12页 |
| ·相变存储器的工作机理 | 第12-13页 |
| ·相变存储材料的选择标准 | 第13-14页 |
| ·相变存储材料Ge_2Sb_2Te_5 | 第14-17页 |
| ·相变存储材料Ge_2Sb_2Te_5的研究现状 | 第14-15页 |
| ·相变存储材料Ge_2Sb_2Te_5的性质 | 第15-17页 |
| ·本文研究的主要内容及意义 | 第17-18页 |
| 第二章 理论原理 | 第18-30页 |
| ·CASTEP软件 | 第18页 |
| ·FORTRAN语言 | 第18页 |
| ·单电子近似理论 | 第18-22页 |
| ·体系的薛定谔方程 | 第18-19页 |
| ·非相对论近似 | 第19页 |
| ·Born-Oppenheirner绝热近似 | 第19-20页 |
| ·Hartree-Fock近似 | 第20-22页 |
| ·密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT) | 第22-25页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第22-23页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第23-24页 |
| ·局域密度近似和广义梯度近似 | 第24-25页 |
| ·赝势平面波法 | 第25-26页 |
| ·模守恒赝势(Norm-Conserving) | 第25-26页 |
| ·超软赝势(Ultrasoft Pseudopotential) | 第26页 |
| ·自洽场计算 | 第26-27页 |
| ·第一性原理计算方法的发展概述 | 第27页 |
| ·相变理论 | 第27-28页 |
| ·准谐德拜模型 | 第28-30页 |
| 第三章 高压下稳态六方Ge_2Sb_2Te_5结构、光电性质的第一性原理计算 | 第30-40页 |
| ·计算方法 | 第30页 |
| ·计算结果和讨论 | 第30-40页 |
| ·几何结构和晶格常数 | 第30-32页 |
| ·电子结构性质及分析 | 第32-35页 |
| ·高压下的光学性质 | 第35-40页 |
| 第四章 稳态六方Ge_2Sb_2Te_5的热力学性质计算 | 第40-44页 |
| ·模型与方法 | 第40-41页 |
| ·计算结果与分析 | 第41-44页 |
| 第五章 总结与展望 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 在校期间的科研成果 | 第52页 |
