| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-25页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·非易失性存储器的种类与特点 | 第10-12页 |
| ·RRAM 研究进展 | 第12-20页 |
| ·RRAM 的兴起 | 第12-13页 |
| ·RRAM 简介 | 第13-15页 |
| ·RRAM 电阻转变效应的主要机制简介 | 第15-20页 |
| ·Pr_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3为基础的电阻转变行为的研究进展 | 第20-23页 |
| ·本文选题思路 | 第23-25页 |
| 2 Ag/Ti 双层电极对 PCMO/Pt 异质结电致电阻效应的影响 | 第25-39页 |
| ·问题的提出 | 第25页 |
| ·样品制备 | 第25-27页 |
| ·Pr_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3薄膜制备 | 第26页 |
| ·顶电极制备 | 第26-27页 |
| ·样品结构、形貌表征及电性测试方法 | 第27-30页 |
| ·样品物相结构表征 | 第27-28页 |
| ·PCMO 薄膜横截面扫描电镜测试 | 第28-29页 |
| ·样品电性测试方法 | 第29-30页 |
| ·实验结果与讨论 | 第30-37页 |
| ·样品电致电阻效应表征 | 第30-32页 |
| ·样品的保持性和疲劳特性测试 | 第32-35页 |
| ·Ag/Ti/PCMO/Pt 器件电致电阻机制分析 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 3 BiFeO_3薄膜对 Ag/Ti/PCMO/Pt 异质结电致电阻效应的影响 | 第39-49页 |
| ·问题的提出 | 第39页 |
| ·样品制备 | 第39-40页 |
| ·薄膜制备 | 第40页 |
| ·顶电极制备 | 第40页 |
| ·样品结构、形貌表征及电性测试方法 | 第40-42页 |
| ·样品物相结构表征 | 第40-41页 |
| ·薄膜横截面扫描电镜测试 | 第41-42页 |
| ·样品电性测试方法 | 第42页 |
| ·实验结果与讨论 | 第42-48页 |
| ·样品电致电阻效应表征 | 第42-46页 |
| ·Ag/Ti/BFO/PCMO/Pt 器件阻变机制分析 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 4 总结与展望 | 第49-52页 |
| ·论文总结 | 第49-50页 |
| ·论文创新点 | 第50页 |
| ·展望和建议 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
