| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·研究背景与意义 | 第8-11页 |
| ·研究意义 | 第8-10页 |
| ·研究背景 | 第10-11页 |
| ·激光通信系统 | 第11-14页 |
| ·激光通信介绍 | 第11-12页 |
| ·激光通信原理 | 第12-14页 |
| ·国内外发展现状 | 第14-16页 |
| ·国外发展 | 第14-15页 |
| ·国内发展 | 第15-16页 |
| ·本文的主要工作 | 第16-18页 |
| 第二章 自由空间激光通信用探测器 | 第18-22页 |
| ·用于自由空间激光通信的几种探测器 | 第18-20页 |
| ·PIN 探测器 | 第18-19页 |
| ·APD 探测器 | 第19页 |
| ·MSM 探测器 | 第19-20页 |
| ·几种典型的Ⅲ-Ⅴ族半导体红外探测器 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 MSM 探测器 | 第22-30页 |
| ·MSM 光电探测器工作原理 | 第22页 |
| ·MSM 器件的能带结构 | 第22-25页 |
| ·MSM 探测器的几个重要性能参数 | 第25-28页 |
| ·器件的响应度和量子效率 | 第25-26页 |
| ·探测率与暗电流 | 第26-27页 |
| ·频率响应 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-30页 |
| 第四章 金属-半导体-金属（MSM）红外探测器结构设计 | 第30-42页 |
| ·基本原理 | 第30-32页 |
| ·InGaAs-MSM 光电探测器概述 | 第30-31页 |
| ·InGaAs-MSM 光电探测器阵列发展 | 第31-32页 |
| ·MSM 红外探测器结构设计 | 第32-40页 |
| ·MSM 探测器设计原理 | 第32-36页 |
| ·器件的图型设计 | 第36-38页 |
| ·外延结构设计 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第五章 探测器相关工艺介绍 | 第42-50页 |
| ·MOCVD 介绍 | 第42-44页 |
| ·MOCVD 概念与原理 | 第42-43页 |
| ·MOCVD 设备简介 | 第43-44页 |
| ·器件制作工艺流程 | 第44-46页 |
| ·光刻工艺介绍 | 第44-45页 |
| ·刻蚀技术介绍 | 第45-46页 |
| ·电极的制作 | 第46-47页 |
| ·器件的封装 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第六章 器件性能测试 | 第50-60页 |
| ·器件外延层性能测试 | 第50-51页 |
| ·X 射线衍射测试 | 第50页 |
| ·器件的光致发光（PL）谱 | 第50-51页 |
| ·器件性能测试 | 第51-59页 |
| ·器件脉冲响应测试 | 第52-54页 |
| ·响应度测试 | 第54-55页 |
| ·I-V 特性测试 | 第55-57页 |
| ·混频测试 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第七章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 硕士期间发表论文 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66页 |