| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·GaN材料概述 | 第7-8页 |
| ·GaN基材料概述 | 第8-10页 |
| ·GaN基LED的应用领域 | 第10-11页 |
| ·本论文的研究意义及目的 | 第11-13页 |
| 第二章 GaN及GaN基LED | 第13-21页 |
| ·GaN的特性 | 第13-15页 |
| ·GaN的晶体结构 | 第14页 |
| ·GaN的化学性质 | 第14-15页 |
| ·LED的电学性质 | 第15页 |
| ·LED的光学性质 | 第15页 |
| ·GaN基LED | 第15-18页 |
| ·GaN基LED发光原理 | 第15-16页 |
| ·载流子的复合方式 | 第16-17页 |
| ·GaN基LED外延结构 | 第17-18页 |
| ·LED发光二极管的优势 | 第18-19页 |
| ·本章小结 | 第19-21页 |
| 第三章 GaN材料的MOCVD外延生长 | 第21-31页 |
| ·MOCVD技术的产生与发展概况 | 第21-22页 |
| ·MOCVD技术的生长机理 | 第22-24页 |
| ·MOCVD的系统组成 | 第24-30页 |
| ·MOCVD设备的构成 | 第24-28页 |
| ·MOCVD技术的特点 | 第28-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 半导体器件可靠性以及静电的相关知识 | 第31-37页 |
| ·可靠性理论 | 第31-33页 |
| ·可靠性技术概述 | 第31-32页 |
| ·半导体器件的失效规律 | 第32-33页 |
| ·影响GaN基LED可靠性的因素 | 第33-36页 |
| ·芯片的结构设计 | 第34页 |
| ·GaN基外延材料中的缺陷 | 第34-35页 |
| ·静电损伤 | 第35页 |
| ·p-GaN以及欧姆接触的退化 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第五章 GaN外延材料的测试与表征 | 第37-41页 |
| ·XRD对外延材料的表征与测试 | 第37-39页 |
| ·XRD的基本原理 | 第37-38页 |
| ·XRD的应用 | 第38-39页 |
| ·PL谱对外延材料的表征测试 | 第39-40页 |
| ·PL谱的原理 | 第39页 |
| ·PL谱在材料表征中的应用 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第六章 实验部分 | 第41-55页 |
| ·垒层掺In提高LED发光强度 | 第41-46页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·材料生长以及实验方法 | 第42-46页 |
| ·实验结果分析总结 | 第46页 |
| ·采用p-InGaN帽层来降低LED正向电压 | 第46-49页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·材料生长以及实验方法 | 第47-48页 |
| ·结果与讨论 | 第48-49页 |
| ·p-InGaN帽层结构实验分析总结 | 第49页 |
| ·插入n-AlGaN电流扩展层改善LED抗静电能力 | 第49-52页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·实验以及测试结果 | 第50-52页 |
| ·分析总结 | 第52页 |
| ·本章小结 | 第52-55页 |
| 第七章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 作者攻读研究生期间参加的项目与研究成果 | 第65-66页 |