一种基于NAND Flash存储器的抗辐射软件加固方法研究
| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·抗辐射软件加固的意义 | 第11-12页 |
| ·国内外研究现状 | 第12-14页 |
| ·本课题研究内容及论文结构 | 第14-15页 |
| 第二章 辐射环境与NAND Flash 辐射效应 | 第15-26页 |
| ·空间辐射环境 | 第15-16页 |
| ·宇宙射线 | 第15-16页 |
| ·太阳风 | 第16页 |
| ·范?艾伦辐射带 | 第16页 |
| ·NAND Flash 原理简介 | 第16-18页 |
| ·NAND Flash 辐射效应 | 第18-20页 |
| ·单粒子效应 | 第18-20页 |
| ·总剂量效应 | 第20页 |
| ·NAND Flash 的错误模式分析 | 第20-25页 |
| ·单一辐射源诱发错误模式 | 第21-24页 |
| ·多辐射源诱发错误模式 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 抗辐射软件加固方法设计 | 第26-51页 |
| ·NAND Flash 存储系统软件加固方式 | 第26-31页 |
| ·软件加固方式简介 | 第26-28页 |
| ·软件加固方式设计 | 第28-30页 |
| ·基于RS(12,4)码的软件加固方式实现 | 第30-31页 |
| ·RS(12,4)码编码器设计 | 第31-38页 |
| ·RS(12,4)码编码原理 | 第31-33页 |
| ·RS(12,4)码并行编码器设计 | 第33-37页 |
| ·编码器性能分析 | 第37-38页 |
| ·RS(12,4)码译码器设计 | 第38-50页 |
| ·RS 码译码原理 | 第38-41页 |
| ·改进余式译码算法设计 | 第41-47页 |
| ·改进RS(12,4)码译码器实现 | 第47-49页 |
| ·改进余式译码算法性能分析 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 软件加固固态存储器实现与验证 | 第51-62页 |
| ·验证平台概述 | 第51-52页 |
| ·基于NAND Flash 的存储器实现 | 第52-56页 |
| ·NAND Flash 流水线管理 | 第52-54页 |
| ·软件加固固态存储器的结构 | 第54-56页 |
| ·软件加固存储器抗辐射性能分析 | 第56-61页 |
| ·抗TID 效应测试 | 第56-57页 |
| ·抗单粒子效应测试 | 第57-60页 |
| ·模拟卫星轨道辐射环境测试 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 结束语 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第67页 |
