基于碳化硅肖特基二极管的逆变器的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·概述 | 第7-8页 |
| ·电力电子技术的发展概述 | 第7页 |
| ·研究背景 | 第7-8页 |
| ·碳化硅（SiC）材料及碳化硅器件的发展 | 第8-11页 |
| ·碳化硅（SiC）材料的应用前景 | 第8-9页 |
| ·碳化硅（SiC）功率器件的发展和应用 | 第9-11页 |
| ·本文主要工作 | 第11-13页 |
| 第二章 逆变系统的分析研究 | 第13-21页 |
| ·概述 | 第13-14页 |
| ·逆变技术的简介 | 第13页 |
| ·逆变器的性能参数 | 第13-14页 |
| ·单相逆变主电路的结构 | 第14-16页 |
| ·推挽式逆变电路（电压型） | 第14-15页 |
| ·半桥式逆变电路（电压型） | 第15-16页 |
| ·全桥式逆变电路（电压型） | 第16页 |
| ·逆变系统的结构方案 | 第16-18页 |
| ·工频逆变 | 第16-17页 |
| ·高频逆变 | 第17-18页 |
| ·脉宽调制技术 | 第18-20页 |
| ·脉宽调制（PWM）基本原理 | 第18-19页 |
| ·正弦脉宽调制（SPWM）基本原理 | 第19-20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 逆变器功率器件的分析和研究 | 第21-33页 |
| ·开关器件 | 第21-27页 |
| ·开关器件简介 | 第21-22页 |
| ·开关器件的工作特性 | 第22-24页 |
| ·开关器件的损耗分析 | 第24-26页 |
| ·碳化硅功率 MOSFET | 第26-27页 |
| ·续流二极管 | 第27-31页 |
| ·续流二极管工作原理 | 第27-28页 |
| ·续流二极管的损耗分析 | 第28-29页 |
| ·碳化硅（SiC）肖特基二极管的性能优势 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 第四章 逆变电路的仿真分析 | 第33-41页 |
| ·PSpice 简介 | 第33-34页 |
| ·仿真分析 | 第34-40页 |
| ·仿真电路图 | 第34-35页 |
| ·仿真结果 | 第35-40页 |
| ·仿真分析 | 第40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第五章 逆变系统的设计与测试 | 第41-51页 |
| ·逆变系统的设计与制作 | 第41-46页 |
| ·逆变系统的设计目标 | 第41页 |
| ·功率主电路的设计 | 第41-43页 |
| ·控制电路的设计 | 第43-45页 |
| ·电路板的制作 | 第45-46页 |
| ·逆变系统的测试 | 第46-49页 |
| ·前级电路的测试 | 第46-47页 |
| ·后级电路的测试 | 第47页 |
| ·前后级联机测试 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第六章 结束语 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 研究成果 | 第57-58页 |
