室温核辐射探测器用T1Br材料的制备与改性研究
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-10页 |
1 绪论 | 第10-30页 |
·引言 | 第10-11页 |
·室温核辐射探测器概述 | 第11-16页 |
·TlBr晶体的制备研究 | 第16-21页 |
·TlBr晶体的性能表征 | 第21-24页 |
·TlBr半导体探测器的现状及存在的主要问题 | 第24-28页 |
·本文主要研究内容 | 第28-30页 |
2 TlBr粉体的合成与提纯 | 第30-45页 |
·TlBr多晶原料的来源 | 第30-31页 |
·TlBr多晶原料的合成 | 第31-33页 |
·TlBr粉的提纯 | 第33-38页 |
·提纯结果与分析 | 第38-44页 |
·本章小结 | 第44-45页 |
3 TlBr晶体生长及性能表征 | 第45-67页 |
·TlBr晶体生长 | 第45-51页 |
·生长态TlBr晶体的性能表征 | 第51-66页 |
·本章小结 | 第66-67页 |
4 TlBr晶片退火改性及光学性能 | 第67-94页 |
·退火实验 | 第67-70页 |
·光谱分析的理论基础 | 第70-74页 |
·TlBr晶体的典型光学性能曲线 | 第74-77页 |
·热退火TlBr晶片的光学性能 | 第77-86页 |
·气氛退火晶片的光学性能 | 第86-88页 |
·水热溶液退火晶片的光学性能 | 第88-91页 |
·热退火与水热溶液退火相结合 | 第91-92页 |
·本章小结 | 第92-94页 |
5 热退火改性机理研究 | 第94-108页 |
·引言 | 第94页 |
·热退火晶片的金相结构 | 第94-99页 |
·不同热退火工艺参数对晶体微观结构的影响 | 第99-101页 |
·TlBr晶体退火处理前后电学性能的变化分析 | 第101-104页 |
·热退火过程中的扩散与迁移机制 | 第104-106页 |
·本章小结 | 第106-108页 |
6 结论与展望 | 第108-111页 |
·结论 | 第108-109页 |
·展望 | 第109-111页 |
致谢 | 第111-112页 |
参考文献 | 第112-125页 |
附录1 攻读博士学位期间发表的论文、专利 | 第125页 |