| 摘要 | 第1-14页 |
| ABSTRACT | 第14-19页 |
| 第一章 前言 | 第19-51页 |
| ·引言 | 第19页 |
| ·研究意义 | 第19-21页 |
| ·GMI效应的基本理论 | 第21-30页 |
| ·细丝 | 第23-25页 |
| ·薄膜(薄带) | 第25-28页 |
| ·三层膜 | 第28-30页 |
| ·影响GMI效应的因素 | 第30-39页 |
| ·材料成分对巨磁阻抗效应的影响 | 第30-34页 |
| ·样品形状、尺寸及结构对巨磁阻抗效应的影响 | 第34-36页 |
| ·制备条件对巨磁阻抗效应的影响 | 第36-37页 |
| ·退火条件对巨磁阻抗效应的影响 | 第37-39页 |
| ·巨磁阻抗效应的应用 | 第39-42页 |
| ·存在的问题 | 第42-43页 |
| ·本论文的工作 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-51页 |
| 第二章 薄膜的制备和表征 | 第51-57页 |
| ·薄膜的制备 | 第51-52页 |
| ·制备薄膜的装置 | 第51页 |
| ·制备过程中的关键技术 | 第51-52页 |
| ·薄膜的退火 | 第52页 |
| ·薄膜的表征 | 第52-56页 |
| ·阻抗和有效磁导率的测量 | 第52-54页 |
| ·磁性测量 | 第54-55页 |
| ·磁畴结构的观察 | 第55页 |
| ·X射线衍射和样品成分分析 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第三章 Fe-Zr-B系软磁合金薄膜巨磁阻抗效应 | 第57-77页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·Cu、Nb、Ni掺杂Fe_(88)Zr_7B_5合金薄膜的GMI效应 | 第58-63页 |
| ·Cu掺杂Fe_(88)Zr_7B_5合金薄膜GMI效应 | 第58-59页 |
| ·Nb掺杂Fe_(88)Zr_7B_5合金薄膜GMI效应 | 第59-61页 |
| ·Ni掺杂Fe_(88)Zr_7B_5合金薄膜GMI效应 | 第61页 |
| ·小结 | 第61-63页 |
| ·溅射功率对Fe-Zr-B系合金薄膜GMI效应的影响 | 第63-69页 |
| ·溅射功率对FeZrBCu_3软磁合金薄膜巨磁阻抗效应的影响 | 第63-67页 |
| ·溅射功率对FeZrBNi_4软磁合金薄膜巨磁阻抗效应的影响 | 第67-68页 |
| ·小结 | 第68-69页 |
| ·退火对Fe-Zr-B系软磁合金薄膜巨磁阻抗效应的影响 | 第69-74页 |
| ·自然退火 | 第69-71页 |
| ·磁场退火 | 第71-72页 |
| ·电流退火 | 第72-74页 |
| ·小结 | 第74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
| 第四章 FeCuCrVSiB软磁合金薄膜巨磁阻抗效应 | 第77-94页 |
| ·引言 | 第77-78页 |
| ·样品的结构表征 | 第78-79页 |
| ·制备过程中磁场对薄膜软磁特性能和GMI效应的影响 | 第79-80页 |
| ·纵向磁场下制备的FeCuCrVSiB薄膜的GMI效应 | 第80-86页 |
| ·FeCuCrVSiB单层薄膜GMI效应与退火温度的关系 | 第80-81页 |
| ·FeCuCrVSiB单层薄膜GMI效应与磁导率的关系 | 第81-83页 |
| ·(F/S)_3/M/(F/S)_3多层膜的GMI效应 | 第83-86页 |
| ·小结 | 第86页 |
| ·横向磁场下制备的FeCuCrVSiB薄膜的GMI效应 | 第86-91页 |
| ·自然退火对FeCuCrVSiB单层和多层薄膜GMI效应的影响 | 第86-88页 |
| ·FeCuCrVSiB单层薄膜的GMI效应 | 第88-89页 |
| ·(F/S)_3/M/(F/S)_3多层膜的GMI效应 | 第89-91页 |
| ·小结 | 第91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-94页 |
| 第五章 FeCuNbSiB软磁合金薄膜巨磁阻抗效应 | 第94-110页 |
| ·引言 | 第94页 |
| ·制备过程中无磁场与有磁场时薄膜的GMI效应 | 第94-97页 |
| ·薄膜软磁特性 | 第95页 |
| ·薄膜巨磁阻抗效应 | 第95-97页 |
| ·小结 | 第97页 |
| ·退火对薄膜阻抗效应的影响 | 第97-102页 |
| ·样品结构表征 | 第97-98页 |
| ·FeCuNbSiB薄膜的磁特性 | 第98-99页 |
| ·磁畴结构 | 第99-101页 |
| ·FeCuNbSiB薄膜的GMI效应 | 第101-102页 |
| ·小结 | 第102页 |
| ·横向磁场制备的薄膜阻抗效应 | 第102-105页 |
| ·纵向与横向磁场制备的薄膜阻抗效应 | 第105-107页 |
| ·本章小结 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-110页 |
| 第六章 总结 | 第110-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
| 博士期间发表的论文目录 | 第114-116页 |
| 外文论文 | 第116-131页 |
| The giant magnetoimpedance effect in FeCuCrVSiB films and multilayered films | 第116-126页 |
| Influence of magnetic induced anisotropy on giant magnetoimpedance effects in FeCuNbSiB films | 第126-131页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第131页 |
