| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-25页 |
| ·课题研究背景及意义 | 第7页 |
| ·TFT-LCD工作与驱动原理 | 第7-15页 |
| ·串扰原因分析 | 第15-23页 |
| ·本文内容安排 | 第23-25页 |
| 第二章 液晶面板制造工艺及其测试方法 | 第25-38页 |
| ·液晶面板制造工艺概述 | 第25-26页 |
| ·阵列段工艺 | 第26-33页 |
| ·干刻工艺 | 第26-28页 |
| ·PECVD工艺技术 | 第28-32页 |
| ·曝光工艺 | 第32-33页 |
| ·主要测试方法 | 第33-38页 |
| 第三章 垂直串扰的工艺改善 | 第38-58页 |
| ·TFT关态特性与垂直串扰的关系 | 第38-43页 |
| ·干刻深度与串扰的关系 | 第43-52页 |
| ·干刻功率及压强对TFT关态特性的影响 | 第52-53页 |
| ·还原性气体退火对TFT关态特性的影响 | 第53-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 水平串扰和耦合电容的改善 | 第58-66页 |
| ·水平串扰改善方案制定 | 第58-59页 |
| ·改善方案验证 | 第59-61页 |
| ·耦合电容的工艺管控 | 第61-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 总结 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |