| 中文摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 综述 | 第10-45页 |
| 1 半导体光催化反应的机理 | 第12-16页 |
| 2 半导体光催化速率的影响因素 | 第16-20页 |
| ·反应器的影响 | 第16-17页 |
| ·反应温度的影响 | 第17页 |
| ·半导体晶型的影响 | 第17-18页 |
| ·光强和光源的影响 | 第18页 |
| ·溶解氧的影响 | 第18页 |
| ·晶粒尺寸对光催化活性的影响 | 第18-19页 |
| ·pH值的影响 | 第19页 |
| ·溶液中盐的影响 | 第19-20页 |
| 3. 提高半导体光催化剂活性的主要方法 | 第20-28页 |
| ·半导体催化剂纳米化 | 第20-21页 |
| ·掺杂金属离子 | 第21-24页 |
| ·过渡金属离子 | 第21页 |
| ·稀土离子的掺杂 | 第21-24页 |
| ·非金属离子掺杂 | 第24页 |
| ·贵金属在催化剂表面沉积 | 第24-25页 |
| ·半导体复合 | 第25页 |
| ·表面光敏化 | 第25-26页 |
| ·二氧化钛表面的超强酸化 | 第26-27页 |
| ·表面螯合及衍生作用 | 第27页 |
| ·半导体光催化剂的负载 | 第27-28页 |
| 4. 新型光催化剂的发展 | 第28-29页 |
| 5. 半导体光催化剂的主要应用 | 第29-30页 |
| ·污水的处理 | 第29页 |
| ·净化空气 | 第29-30页 |
| ·抗菌，杀毒 | 第30页 |
| 6. 光催化材料的应用前景展望及存在的问题 | 第30-31页 |
| 7. 课题研究背景、内容及意义 | 第31-34页 |
| 参考文献 | 第34-45页 |
| 第二章 Pr掺杂TiO_2光催化剂的制备及其催化性能研究 | 第45-62页 |
| 1 实验部分 | 第45-46页 |
| ·试剂及仪器 | 第45-46页 |
| ·催化剂的制备 | 第46页 |
| ·品红的光催化降解试验 | 第46页 |
| 2 结果与讨论 | 第46-59页 |
| ·红外光谱分析 | 第46-48页 |
| ·TG-DTA分析 | 第48页 |
| ·样品的XRD及AFM表面形貌分析 | 第48-50页 |
| ·掺杂量对催化剂活性的影响 | 第50-51页 |
| ·催化剂用量 | 第51-52页 |
| ·焙烧温度对催化活性的影响 | 第52-53页 |
| ·XPS成分分析 | 第53-57页 |
| ·紫外-可见光漫反射吸收光谱 | 第57页 |
| ·pH的影响 | 第57-58页 |
| ·染料的起始浓度的影响 | 第58-59页 |
| ·光源的选择 | 第59页 |
| 3 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 第三章 镧-TiO_2/膨润土复合光催化剂的制备及性质研究 | 第62-73页 |
| 1. 实验部分 | 第62-63页 |
| ·镧掺杂TiO_2蒙脱土纳米复合光催化剂的制备 | 第62-63页 |
| ·纳米复合光催化剂表征 | 第63页 |
| ·光催化降解实验 | 第63页 |
| 2. 结果与讨论 | 第63-69页 |
| ·纳米复合光催化剂XRD的表征 | 第63-65页 |
| ·TG-DTA分析 | 第65-66页 |
| ·光催化剂的红外光谱图 | 第66-67页 |
| ·紫外可见光漫反射分析 | 第67-68页 |
| ·光催化活性评价实验 | 第68页 |
| ·蒙脱土复合光催化剂的的再生使用效果 | 第68-69页 |
| 3 光催化的理论探讨 | 第69-70页 |
| 4. 结论 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 第四章 钙钛矿型LaFe_(1-x)Co_xO_3的光催化制备及性质研究 | 第73-83页 |
| 1. 实验部分 | 第73-74页 |
| ·仪器和试剂 | 第73页 |
| ·系列LaFe_(1-x)Co_xO_3的制备及表征 | 第73-74页 |
| ·光催化活性的评价 | 第74页 |
| 2. 结果与讨论 | 第74-80页 |
| ·光催化剂的物相分析 | 第74-76页 |
| ·热重分析 | 第76-77页 |
| ·红外光谱分析 | 第77-78页 |
| ·光催化剂LaFe_(1-x)Co_xO_3的光催化活性 | 第78页 |
| ·染料脱色与光照时间的关系 | 第78-79页 |
| ·催化剂用量与脱色率的关系 | 第79-80页 |
| ·LaFe_(1-x)Co_xO_3光催化活性理论分析 | 第80页 |
| 3. 结论 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 科研情况 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84页 |
