| 提要 | 第1-9页 |
| 第一章 导言 | 第9-31页 |
| ·低维半导体材料综述 | 第9-15页 |
| ·准二维半导体结构 | 第9-13页 |
| ·准一维体系（量子线） | 第13-15页 |
| ·量子点 | 第15-28页 |
| ·制备方法 | 第16-18页 |
| ·库仑阻塞和库仑台阶 | 第18-21页 |
| ·近藤效应 | 第21-23页 |
| ·多量子点结构 | 第23-28页 |
| ·本论文拟开展的研究工作 | 第28-31页 |
| ·研究对象 | 第28-30页 |
| ·本论文的主要内容 | 第30-31页 |
| 第二章 利用非平衡态格林函数方法研究耦合量子点体系的电子输运性质 | 第31-109页 |
| ·非平衡态格林函数方法 | 第31-43页 |
| ·非平衡态格林函数的定义 | 第32-33页 |
| ·Langreth定理 | 第33-34页 |
| ·Dyson方程 | 第34-35页 |
| ·运动方程 | 第35-36页 |
| ·广义Landauer-B¨uttiker公式 | 第36-43页 |
| ·反共振对一维量子点链I-V特性的影响 | 第43-64页 |
| ·理论描述 | 第45-52页 |
| ·数值结果及讨论 | 第52-63页 |
| ·结论 | 第63-64页 |
| ·强耦合量子点链的电子输运性质 | 第64-76页 |
| ·理论描述 | 第64-68页 |
| ·数值结果与讨论 | 第68-75页 |
| ·结论 | 第75-76页 |
| ·与导带电子间接耦合量子点的近藤效应 | 第76-93页 |
| ·理论描述 | 第78-85页 |
| ·数值结果与讨论 | 第85-92页 |
| ·结论 | 第92-93页 |
| ·由导带中Anderson杂质引起的量子点中近藤共振的淬灭 | 第93-109页 |
| ·理论描述 | 第94-98页 |
| ·数值结果与讨论 | 第98-108页 |
| ·结论 | 第108-109页 |
| 第三章 结论 | 第109-113页 |
| 参考文献 | 第113-123页 |
| 中文摘要 | 第123-127页 |
| Abstract | 第127-133页 |
| 博士期间发表论文 | 第133-135页 |
| 致谢 | 第135页 |