铜电沉积纳/微米有序阵列生长研究
| 提要 | 第1-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-17页 |
| ·纳米材料 | 第7-11页 |
| ·纳米材料的定义 | 第7页 |
| ·纳米材料的奇异特性 | 第7-10页 |
| ·纳米材料的研究进程 | 第10-11页 |
| ·纳米有序阵列材料 | 第11-15页 |
| ·纳米有序阵列材料的应用 | 第11-13页 |
| ·纳米有序阵列的制备方法 | 第13-15页 |
| ·选题背景及主要研究内容 | 第15-17页 |
| ·选题背景 | 第15-16页 |
| ·主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 实验装置及实验方法 | 第17-20页 |
| ·准二维电沉积实验装置 | 第17-18页 |
| ·准二维电化学生长室 | 第17-18页 |
| ·金属铜准二维电化学沉积系统 | 第18页 |
| ·准二维电沉积实验方法 | 第18-19页 |
| ·实验方法 | 第18-19页 |
| ·准二维电化学沉积系统的优点 | 第19页 |
| ·小结 | 第19-20页 |
| 第三章 电沉积法制备铜纳/微米有序阵列 | 第20-28页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·硅衬底的处理 | 第20页 |
| ·实验过程 | 第20-21页 |
| ·超薄液层电沉积制备有序阵列 | 第21-26页 |
| ·制备铜有序阵列 | 第21-22页 |
| ·平行铜纳/微米线形貌 | 第22-24页 |
| ·平行与分叉 | 第24-25页 |
| ·不同浓度CuSO_4 溶液有序阵列 | 第25-26页 |
| ·小结 | 第26-28页 |
| 第四章 沉积物的微观结构 | 第28-34页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·Cu 和Cu_2O的晶体结构 | 第28-29页 |
| ·电沉积铜纳/微米线XRD 分析 | 第29-30页 |
| ·TEM 分析 | 第30-31页 |
| ·Cu/Cu_2O纳米晶粒的形成机制 | 第31-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 第五章 铜电沉积有序阵列生长机理 | 第34-41页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·电化学沉积过程的理论描述 | 第34-37页 |
| ·影响铜纳/微米有序阵列平行生长的因素 | 第37-38页 |
| ·分叉分析 | 第38页 |
| ·溶液浓度对平行铜纳/微米线尺度的影响 | 第38-39页 |
| ·平行生长铜纳/微米线电势模拟图 | 第39-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 第六章 结论与展望 | 第41-43页 |
| ·结论 | 第41-42页 |
| ·展望 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-46页 |
| 摘要 | 第46-48页 |
| Abstract | 第48-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 附录 | 第52页 |
