| 目录 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·概述 | 第8-10页 |
| ·结构和外形 | 第8-9页 |
| ·性质和用途 | 第9页 |
| ·发展历程 | 第9-10页 |
| ·KDP晶体在惯性约束核聚变(ICF)中的应用 | 第10-12页 |
| ·KDP晶体的生长方法 | 第12-13页 |
| ·激光损伤阈值 | 第13页 |
| ·Materials Studio简介 | 第13-14页 |
| ·论文选题的目的和意义 | 第14页 |
| ·小结 | 第14-15页 |
| 参考文献 | 第15-18页 |
| 第二章 量子理论与计算方法概述 | 第18-32页 |
| ·引言 | 第18-19页 |
| ·密度泛函理论 | 第19-25页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第20-23页 |
| ·Kohn-Sham方程[6] | 第23-25页 |
| ·量子化学计算方法 | 第25-29页 |
| ·量子化学从头计算法(ab initio) | 第26-28页 |
| ·从头计算法 | 第26-27页 |
| ·从头计算法的误差 | 第27页 |
| ·从头计算法的误差校正 | 第27-28页 |
| ·半经验计算方法 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-32页 |
| 第三章 使用Materials Studio 4.0对KDP晶体的研究 | 第32-48页 |
| ·引言 | 第32-34页 |
| ·CASTEP软件简介 | 第32-33页 |
| ·KDP晶体的光学质量 | 第33页 |
| ·研究现状 | 第33-34页 |
| ·纯KDP晶体在Materials Studio 4.0中的建模与基本性质 | 第34-38页 |
| ·含缺陷的KDP晶体在MS 4.0中的建模与基本性质 | 第38-46页 |
| ·Na取代K的缺陷 | 第38-40页 |
| ·不同氘含量的KDP晶体性质模拟 | 第40页 |
| ·掺杂硫酸钾的KDP晶体性质模拟 | 第40-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 第四章 结论 | 第48-50页 |
| ·主要结论与创新: | 第48页 |
| ·需要进一步研究的内容: | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 硕士学习期间发表的文章 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第53页 |
