| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-39页 |
| ·非线性光学的物理基础 | 第15-17页 |
| ·分子非线性光学及其材料 | 第17-21页 |
| ·分子非线性光学概述 | 第17-18页 |
| ·分子非线性光学材料 | 第18-21页 |
| ·有机及金属有机三阶非线性光学材料的研究现状 | 第21-28页 |
| ·本论文的选题思想与研究内容 | 第28-33页 |
| ·多甲川花菁染料及其有序分子聚集体的三阶非线性光学性能 | 第28-31页 |
| ·咔唑羰基铬配位化合物的三阶非线性光学性能 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-39页 |
| 第二章 新型芳杂环取代多甲川花菁染料及咔唑羰基铬配合物的合成与结构表征 | 第39-49页 |
| ·合成试剂及仪器 | 第41-42页 |
| ·3-氨基-9-乙基咔唑三羰基铬配合物的合成 | 第42页 |
| ·3-氨基-9-乙基咔唑丙稀基羰基铬氟硼酸盐的合成 | 第42-43页 |
| ·咔唑羰基铬配合物的结构表征 | 第43-44页 |
| ·3-氨基-9-乙基咔唑三羰基铬配合物的晶体结构 | 第44-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第三章 新型芳杂环取代多甲川花菁染料及咔唑羰基铬配合物的线性光学特性 | 第49-56页 |
| ·测试仪器及条件 | 第49页 |
| ·芳杂环取代多甲川花菁染料的紫外—可见吸收特性 | 第49-50页 |
| ·咔唑羰基铬配合物的紫外—可见吸收特性 | 第50-52页 |
| ·咔唑羰基铬配合物的荧光发射特性 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 第四章 新型芳杂环取代多甲川花菁染料及咔唑羰基铬配合物的三阶非线性光学性能 | 第56-75页 |
| ·三阶非线性极化率(二阶超极化率)的测量技术 | 第56-60页 |
| ·三次谐波产生(THG)技术 | 第56-57页 |
| ·电场诱导二次谐波产生(EFISHG)技术 | 第57页 |
| ·自聚焦和自散焦技术 | 第57-58页 |
| ·光克尔门(OKG)技术 | 第58页 |
| ·简并四波混频(DFWM)技术 | 第58-60页 |
| ·芳杂环取代多甲川花菁染料与咔唑羰基铬配合物的三阶非线性光学性能 | 第60-71页 |
| ·实验仪器与实验原理 | 第60-62页 |
| ·芳杂环取代多甲川花菁染料的三阶非线性光学性能 | 第62-65页 |
| ·咔唑羰基铬配合物的三阶非线性光学性能 | 第65-66页 |
| ·3-氨基-9-乙基咔唑三羰基铬配合物三阶非线性光学性能的理论分析 | 第66-71页 |
| ·本章小结 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 第五章 芳杂环取代多甲川花菁及咔唑羰基铬配合物有序分子聚集体薄膜的制备及三阶非线性光学性能 | 第75-109页 |
| ·超薄膜制备技术简介 | 第75-79页 |
| ·LB技术 | 第75-76页 |
| ·分子自组装技术 | 第76-77页 |
| ·真空蒸镀技术 | 第77-78页 |
| ·旋涂技术 | 第78-79页 |
| ·芳杂环取代多甲川花菁超薄有序膜的制备与结构、形貌表征 | 第79-89页 |
| ·实验原料、实验仪器及实验原理 | 第80-82页 |
| ·芳杂环取代多甲川花菁旋涂膜的制备 | 第82页 |
| ·五甲川花菁染料PC-1的J-聚集体超薄有序膜的结构与形貌 | 第82-86页 |
| ·七甲川花菁染料PC-4的H-聚集体超薄有序膜的结构与形貌 | 第86-87页 |
| ·七甲川花菁染料PC-2的Herringbone型聚集体超薄有序膜的结构与形貌 | 第87-89页 |
| ·芳杂环取代多甲川花菁染料PC-1,PC-2,PC-4的聚集行为及其光谱表现 | 第89-94页 |
| ·芳杂环取代多甲川花菁染料PC-1,PC-2,PC-4聚集体超膜有序膜的三阶非线性光学性能 | 第94-96页 |
| ·五甲川花菁染料PC-1的J-聚集体三阶光学非线性增强效应的理论分析 | 第96-98页 |
| ·七甲川花菁染料H-和Herringbone型聚集体三阶光学非线性增强效应的理论分析 | 第98-101页 |
| ·咔唑羰基铬配合物超薄膜的制备与三阶非线性光学性能 | 第101-103页 |
| ·咔唑羰基铬配合物AECzNB的H-聚集体超薄膜的结构表征 | 第101-103页 |
| ·咔唑羰基铬配合物AECzNB的H-聚集体超薄膜的三阶非线性光学性能 | 第103页 |
| ·本章小结 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-109页 |
| 第六章 全文总结 | 第109-111页 |
| 第七章 进一步开展的工作 | 第111-112页 |
| 攻读博士学位期间已发表和待发表的论文及专利 | 第112-114页 |
| 致谢 | 第114-115页 |
