摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-8页 |
第一章 导言 | 第8-18页 |
·半导体激光器的发展历史 | 第8-9页 |
·半导体激光器的基本原理与器件结构 | 第9-11页 |
·半导体激光器材料研究进展 | 第11-13页 |
·半导体激光器的特点 | 第13-14页 |
·半导体激光器的应用 | 第14-15页 |
·作者的主要研究工作简介 | 第15-18页 |
第二章 激光二极管电学特性的测量方法 | 第18-29页 |
·电流-电压测量方法 | 第18-19页 |
·电导数方法和理想模型 | 第19-20页 |
·电容-电压测量方法 | 第20-22页 |
·AC-IV 方法 | 第22-27页 |
·测试方法的改进 | 第27-28页 |
·小结 | 第28-29页 |
第三章 多量子阱激光二极管正向电学特性的测量 | 第29-57页 |
·实验样品和仪器 | 第29页 |
·780 nm激光二极管的测量结果 | 第29-43页 |
·夏普650 nm激光二极管的测量结果 | 第43-47页 |
·Sony870 nm激光二极管的实验结果 | 第47-50页 |
·Sony1310 nm激光器的实验结果 | 第50-55页 |
·讨论 | 第55页 |
·小结 | 第55-57页 |
第四章 多量子阱激光二极管阈值附近发光特性的测量 | 第57-68页 |
·Sony780-1 激光二极管的测试结果 | 第57-62页 |
·Sony780-3 激光二极管的测试结果 | 第62-64页 |
·普通商用管的发光特性 | 第64-66页 |
·讨论 | 第66-67页 |
·小结 | 第67-68页 |
第五章 对双异质结激光二极管电导数特性的数值拟合和讨论 | 第68-82页 |
·双异质结激光二极管的微分电特性 | 第68-70页 |
·双异质结激光二极管的结特性 | 第70-73页 |
·多次迭代结果 | 第73-75页 |
·对激光二极管阈值附近电特性测量结果的讨论 | 第75-81页 |
·小结 | 第81-82页 |
第六章 发光二极管的电学特性 | 第82-100页 |
·测试样品 | 第82页 |
·发光二极管的表观特性 | 第82-88页 |
·发光二极管的结特性 | 第88-98页 |
·小结 | 第98-100页 |
第七章 对已有激光理论的回顾和评述 | 第100-115页 |
·激光器的基本概念 | 第100-103页 |
·激光器的速率方程理论 | 第103-105页 |
·哈肯的激光理论 | 第105-107页 |
·拉姆的激光理论 | 第107-110页 |
·激光器的量子理论 | 第110-114页 |
·小结 | 第114-115页 |
第八章 结论与展望 | 第115-118页 |
·结论 | 第115-117页 |
·展望 | 第117-118页 |
参考文献 | 第118-132页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第132-134页 |
致谢 | 第134页 |