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碳化硅可见光下光催化性能的研究

摘要第1-3页
Abstract第3-6页
前言第6-7页
第一章 文献综述第7-22页
   ·光催化分解水制氢的研究进展第7-17页
     ·光催化分解水原理第7-8页
     ·提高光催化分解水效率的途径第8-11页
       ·负载贵金属第8页
       ·负载氧化镍第8-9页
       ·半导体的复合第9-10页
       ·掺杂第10-11页
       ·添加牺牲剂(电子给体或电子受体)第11页
     ·可见光照射下可以分解水的光催化剂第11-17页
       ·已有紫外光下具有活性的光催化剂可见光化第11-14页
       ·窄禁带可见光响应光催化剂第14-17页
   ·Cr(VI)的光催化还原研究第17-18页
   ·SiC光催化剂第18-21页
     ·SiC的性质第18-19页
     ·SiC粉体的制备第19-20页
     ·SiC在光催化方面的应用第20-21页
   ·本文的研究思路第21-22页
第二章 光催化分解水产氢实验第22-45页
   ·实验部分第22-29页
     ·试剂与仪器第22-24页
     ·SiC的预处理第24页
     ·SiC的Pt负载和NiO负载第24页
     ·催化剂的表征第24-27页
       ·X-射线衍射(XRD)第25页
       ·傅立叶变换红外光谱(FT-IR)第25页
       ·紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)第25-26页
       ·热重分析(TGA)第26页
       ·X-射线光电子能谱(XPS)第26-27页
     ·光催化分解水制氢反应第27-29页
       ·实验装置第27-28页
       ·实验步骤第28页
       ·分析方法第28页
       ·计算第28-29页
   ·结果与讨论第29-43页
     ·催化剂表征结果分析第29-33页
       ·XRD结果分析第29页
       ·UV-Vis DRS 结果分析第29-31页
       ·TGA 结果分析第31-32页
       ·XPS 结果分析第32-33页
     ·空白实验第33页
     ·预处理对光催化产氢的影响第33-35页
     ·光催化剂用量对光催化产氢的影响第35页
     ·光照时间对光催化产氢的影响第35-36页
     ·实际太阳光和室内荧光灯照射下的产氢性能第36-37页
     ·溶液初始pH值对光催化产氢的影响第37-39页
     ·不同牺牲剂种类对光催化产氢的影响第39-40页
     ·碳化硅光催化分解水的机理探讨第40-41页
     ·pt负载对光催化产氢性能的影响第41-42页
     ·NiO负载(0500)对光催化产氢性能的影响第42-43页
     ·NiO负载(R500-0200)对光催化产氢性能的影响第43页
   ·本章小结第43-45页
第三章 Cr(VI)的光催化还原实验第45-52页
   ·实验部分第45-47页
     ·试剂和仪器第45页
     ·实验方法第45-47页
       ·光催化还原Cr(VI)反应第45-46页
       ·分析方法第46-47页
   ·结果与讨论第47-51页
     ·光照时间和催化剂用量对Cr(VI)光催化还原的影响第47-49页
     ·Cr(VI)初始浓度对Cr(VI)光催化还原的影响第49-50页
     ·溶液初始pH值对Cr(VI)光催化还原的影响第50-51页
   ·本章小结第51-52页
第四章 结论第52-53页
参考文献第53-59页
发表论文和参加科研情况说明第59-60页
附录第60-62页
致谢第62页

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