| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 场致发射阴极材料的研究进展 | 第9-16页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·场发射冷阴极材料的发展状况 | 第9-14页 |
| ·金属微尖阵列 | 第11页 |
| ·硅微尖阵列 | 第11-12页 |
| ·金刚石薄膜 | 第12-13页 |
| ·纳米碳管 | 第13页 |
| ·多孔硅 | 第13-14页 |
| ·选题意义与主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 场致发射理论 | 第16-24页 |
| ·引言 | 第16页 |
| ·传统金属的场致发射 | 第16-20页 |
| ·Fowler－Nordheim 公式的近似性 | 第19-20页 |
| ·半导体的场致发射 | 第20-22页 |
| ·纳米材料的场致电子发射 | 第22-24页 |
| 第三章 纳米硅薄膜的制备与应用 | 第24-34页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·纳米硅薄膜的制备方法 | 第24-30页 |
| ·射频溅射沉积法 | 第24-25页 |
| ·激光诱导化学气相沉积法 | 第25-26页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积法 | 第26-28页 |
| ·热丝化学气相沉积法 | 第28-29页 |
| ·激光烧蚀沉积法 | 第29-30页 |
| ·纳米硅薄膜的性能 | 第30-32页 |
| ·压阻特性 | 第31页 |
| ·光学特性 | 第31页 |
| ·零维量子特性 | 第31-32页 |
| ·纳米硅薄膜的主要用途 | 第32-34页 |
| ·太阳能电池 | 第32页 |
| ·纳米硅开关二极管 | 第32页 |
| ·压力传感器 | 第32-33页 |
| ·量子功能器件 | 第33-34页 |
| 第四章 场发射冷阴极的制备与表征 | 第34-46页 |
| ·制备纳米硅场发射冷阴极 | 第34-36页 |
| ·激光烧蚀沉积纳米硅薄膜 | 第34-35页 |
| ·高温快速退火 | 第35页 |
| ·蒸镀金膜 | 第35-36页 |
| ·纳米硅薄膜的表征 | 第36-45页 |
| ·X 射线衍射 | 第36-39页 |
| ·透射电子显微镜 | 第39-42页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第42-43页 |
| ·原子力显微镜 | 第43-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 第五章 纳米硅薄膜场发射特性测试与电子输运机制分析 | 第46-57页 |
| ·场致发射测试系统 | 第46-47页 |
| ·场发射特性的测试 | 第47-52页 |
| ·掺Er 纳米硅冷阴极 | 第47-48页 |
| ·增加SiO_2高阻层的掺Er 纳米硅冷阴极 | 第48-50页 |
| ·掺Ni 纳米硅冷阴极 | 第50页 |
| ·增加SiO_2高阻层的掺Ni 纳米硅冷阴极 | 第50-52页 |
| ·场发射特性的分析 | 第52-56页 |
| ·异质结二极管电流模型 | 第52-54页 |
| ·纳米硅薄膜中场发射电流的传输机制分析 | 第54-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 第六章 纳米硅薄膜内部电场强度和电子轨迹的模拟分析 | 第57-65页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·建模的基本假设和初始参数 | 第57-60页 |
| ·建模的基本假设 | 第57-58页 |
| ·建模的初始参数 | 第58页 |
| ·ANSYS 模拟过程 | 第58-60页 |
| ·模拟结果与分析 | 第60-63页 |
| ·电场强度和量子点半径的关系 | 第60-61页 |
| ·电场强度和纳米硅薄膜厚度的关系 | 第61页 |
| ·电场强度和晶界厚度的关系 | 第61-62页 |
| ·电场强度和晶界材料介电常数的关系 | 第62-63页 |
| ·电子运动轨迹 | 第63页 |
| ·小结 | 第63-65页 |
| 第七章 结论与展望 | 第65-67页 |
| ·结论 | 第65页 |
| ·对今后研究工作的展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第70-71页 |
| 附录 | 第71-78页 |
| 致谢 | 第78页 |