| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-6页 |
| 引言 | 第6-9页 |
| 第一章 ZnO 薄膜制备方法及表征手段 | 第9-19页 |
| ·ZnO 薄膜的制备技术 | 第9-13页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第9-10页 |
| ·磁控溅射技术 | 第10-11页 |
| ·电子束蒸发 | 第11-13页 |
| ·相关表征手段 | 第13-18页 |
| ·X 射线光电子能谱(XPS) | 第13-15页 |
| ·微区光致发光谱 | 第15-16页 |
| ·电学特性测量方法-霍尔效应及HMS7707 | 第16-18页 |
| 本章小结 | 第18-19页 |
| 第二章 N 型ZnO 的光电特性 | 第19-27页 |
| ·未故意掺杂的N 型ZnO 光电特性 | 第20-22页 |
| ·N 掺杂的N 型ZnO 光电特性 | 第22-26页 |
| 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 p 型ZnO 薄膜中的持久n 型光电导及其欧姆接触 | 第27-36页 |
| ·p 型ZnO 薄膜中的持久n 型光电导 | 第27-33页 |
| ·霍尔效应的基本方程 | 第28-29页 |
| ·深能级缺陷对p 型ZnO 薄膜电学性质的影响 | 第29-33页 |
| ·Ni/Au 与N 掺杂p 型ZnO 的欧姆接触 | 第33-35页 |
| 本章小结 | 第35-36页 |
| 结语 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-42页 |
| 后记 | 第42页 |