| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪言 | 第6-9页 |
| 第二章 MOCVD技术概述 | 第9-19页 |
| ·MOCVD的概念及原理 | 第9-10页 |
| ·MOCVD外延技术的特点 | 第10-11页 |
| ·MOCVD的生产设备 | 第11-16页 |
| ·MOCVD技术应用 | 第16页 |
| ·本实验室的MOCVD设备简介 | 第16-19页 |
| 第三章 AlGaInP高亮度发光二极管 | 第19-30页 |
| ·LED发光原理及其特性 | 第19-21页 |
| ·AlGaInP发光材料的特性 | 第21页 |
| ·AlGaInP HB-LED的生长制备 | 第21-23页 |
| ·AlGaInP HB-LED的器件结构 | 第23-26页 |
| ·提高AlGaInP HB-LED外量子效率方法 | 第26-30页 |
| 第四章 AlGaInP四元系HB-LED外延片的表征方法 | 第30-47页 |
| ·HB-LED外延片光致发光谱(PL)测试 | 第30-37页 |
| ·HB-LED外延片的电化学C-V测试 | 第37-39页 |
| ·HB-LED外延片的X射线双晶衍射测试 | 第39-47页 |
| 第五章 AlGaInP／GaAs外延层的倒易空间图分析 | 第47-55页 |
| ·倒易点二维图(RSM)的测量 | 第47-48页 |
| ·X射线衍射摇摆曲线表征的缺陷 | 第48-49页 |
| ·倒易点二维图(RSM)分析原理 | 第49-52页 |
| ·检测结果与分析 | 第52-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 硕士期间完成的论文和科研项目 | 第57-58页 |