| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 符号说明 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-21页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长技术 | 第8-10页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族氮化物物理特性 | 第10-16页 |
| ·GaN材料特性的测试手段 | 第16-17页 |
| ·研究内容及论文的安排 | 第17-19页 |
| 参考文献 | 第19-21页 |
| 第二章 红外椭偏和Hall测量 | 第21-39页 |
| ·红外椭圆偏振法 | 第21-32页 |
| ·Hall测量法 | 第32-37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 第三章 GaN红外椭偏光谱的研究 | 第39-63页 |
| ·本征GaN外延膜 | 第39-49页 |
| ·p型GaN外延膜 | 第49-53页 |
| ·n型GaN外延膜 | 第53-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第四章 红外椭偏对GaN电学参数测量结果分析 | 第63-69页 |
| ·对载流子浓度的测定结果的分析 | 第63-65页 |
| ·对迁移率测定结果的分析 | 第65-68页 |
| 参考文献 | 第68-69页 |
| 第五章 结论 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第71-72页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第72页 |