中文摘要 | 第1-10页 |
英文摘要 | 第10-14页 |
第一章 绪论 | 第14-42页 |
·前言 | 第14页 |
·三均三嗪(tri-s-triazine)类化合物的研究情况 | 第14-17页 |
·密度泛函理论 | 第17-21页 |
·含时密度泛函理论 | 第21-23页 |
·非线性光学极化率及其计算方法 | 第23-29页 |
·导数法 | 第25-27页 |
·解析法 | 第25-26页 |
·数值法 | 第26-27页 |
·含时Hartree-Fork 方法 | 第27-28页 |
·态求和方法 | 第28页 |
·耦合振子方法 | 第28-29页 |
·G3MP2 方法 | 第29-31页 |
·分子静电势 | 第31-32页 |
·分子中的原子理论 | 第32-33页 |
·从头算分子动力学模拟程序简介-VASP 程序 | 第33-35页 |
·VASP 程序原理简介 | 第33-34页 |
·VASP 程序的特点 | 第34-35页 |
参考文献 | 第35-42页 |
第二章 三取代三均三嗪类化合物的分子构型、电子结构及性质 | 第42-71页 |
·引言 | 第42页 |
·计算方法 | 第42-43页 |
·结果和讨论 | 第43-67页 |
·三均三嗪的分子构型、电子结构及性质 | 第43-54页 |
·取代效应 | 第54-67页 |
·取代基对分子构型的影响 | 第55页 |
·取代基对电子结构的影响 | 第55-61页 |
·取代基对共轭性的影响 | 第61页 |
·取代基对 HOMO 及 LUMO 的影响 | 第61-65页 |
·取代基对振动频率的影响 | 第65-67页 |
·本章总结 | 第67-69页 |
参考文献 | 第69-71页 |
第三章 三均三嗪含氮等电子体的分子构型、电子结构及性质 | 第71-85页 |
·计算方法 | 第71-72页 |
·结果和讨论 | 第72-82页 |
·分子构型 | 第72页 |
·分子的共轭性 | 第72-75页 |
·电子拓扑结构 | 第75-79页 |
·生成热 | 第79-80页 |
·等电子体c 的分解 | 第80-82页 |
·本章总结 | 第82-83页 |
参考文献 | 第83-85页 |
第四章 三叠氮基三均三嗪的分子构型、电子结构及其叠氮-四唑异构化反应 | 第85-101页 |
·引言 | 第85页 |
·计算方法 | 第85-86页 |
·结果和讨论 | 第86-97页 |
·三叠氮基-三均三嗪的分子构型、电子结构及性质 | 第86-93页 |
·叠氮-四唑异构化 | 第93-97页 |
·分子构型 | 第93-94页 |
·环化机理 | 第94-97页 |
·本章总结 | 第97-99页 |
参考文献 | 第99-101页 |
第五章 三均三嗪类分子的高能量密度性能 | 第101-111页 |
·引言 | 第101-102页 |
·计算方法 | 第102-105页 |
·结果和讨论 | 第105-108页 |
·三均三嗪及其三取代衍生物的相对生成热和相对比冲量 | 第105-107页 |
·三均三嗪含氮等电子体的相对生成热和相对比冲量 | 第107-108页 |
·本章总结 | 第108-109页 |
参考文献 | 第109-111页 |
第六章 三均三嗪分子与负离子间的相互作用 | 第111-127页 |
·引言 | 第111页 |
·计算方法 | 第111-113页 |
·结果和讨论 | 第113-124页 |
·氢键相互作用 | 第115-120页 |
·静电相互作用 | 第120-122页 |
·σ作用 | 第122-124页 |
·本章总结 | 第124-125页 |
参考文献 | 第125-127页 |
第七章 三取代三均三嗪类分子的非线性光学(NLO)性质 | 第127-141页 |
·引言 | 第127-129页 |
·计算方法 | 第129-130页 |
·结果和讨论 | 第130-137页 |
·静态一阶、二阶和三阶极化率 | 第130-132页 |
·频率相关一阶、二阶和三阶极化率 | 第132-135页 |
·基态电荷及能级 | 第135-137页 |
·本章总结 | 第137-138页 |
参考文献 | 第138-141页 |
第八章 三取代三均三嗪类分子紫外-可见吸收光谱的 TD-DFT 研究 | 第141-165页 |
·引言 | 第141页 |
·计算方法 | 第141-142页 |
·结果和讨论 | 第142-162页 |
·气相中的吸收光谱 | 第145-147页 |
·溶液中的吸收光谱 | 第147-162页 |
·本章总结 | 第162-163页 |
参考文献 | 第163-165页 |
攻读博士学位期间发表的论文 | 第165-167页 |
声明 | 第167-168页 |
致谢 | 第168页 |