绝缘栅双极晶体管（IGBT）的研究与设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-17页 |
| §1．1 IGBT器件的发展和研究现状 | 第6-14页 |
| §1．2 本论文的工作和研究方法 | 第14-17页 |
| 第二章 半导体器件模拟 | 第17-23页 |
| §2．1 半导体器件模拟概述 | 第17-18页 |
| §2．2 Medici和TSuprem Ⅳ软件 | 第18-23页 |
| 第三章 IGBT器件的工作原理及设计依据 | 第23-49页 |
| §3．1 基本结构 | 第23-24页 |
| §3．2 基本工作原理 | 第24-26页 |
| §3．3 静态工作特性 | 第26-30页 |
| §3．4 影响动态特性的因素 | 第30-32页 |
| §3．5 影响闩锁效应的因素 | 第32-35页 |
| §3．6 安全工作区 | 第35-36页 |
| §3．7 元胞优化设计研究 | 第36-38页 |
| §3．8 高压终端结构设计 | 第38-49页 |
| 第四章 IGBT器件的结构设计 | 第49-63页 |
| §4．1 元胞结构优化设计 | 第49-56页 |
| §4．2 Medici二维器件模拟 | 第56-59页 |
| §4．3 IGBT高压终端设计 | 第59-63页 |
| 第五章 IGBT器件的工艺设计 | 第63-74页 |
| §5．1 阳极结工艺简介 | 第63-64页 |
| §5．2 工艺流程设计 | 第64-65页 |
| §5．3 工艺参数设置 | 第65-66页 |
| §5．4 TSuprem Ⅳ工艺模拟结果 | 第66-74页 |
| 第六章 版图设计 | 第74-81页 |
| 第七章 设计总结与展望 | 第81-84页 |
| §7．1 设计总结 | 第81-82页 |
| §7．2 展望 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第90页 |
