| 绪论 | 第1-10页 |
| 第一章 高亮度发光二极管 | 第10-21页 |
| 1．1 LED的工作原理 | 第10-11页 |
| 1．2 发光二极管的特性 | 第11-12页 |
| 1．3 高亮度发光二极管器件结构 | 第12-14页 |
| 1．4 HB-LED外延芯片 | 第14-21页 |
| 第二章 HB-LED中的异质结构 | 第21-31页 |
| 2．1 异质结的定义和在光电器件中的作用 | 第21页 |
| 2．2 HB-LED中异质结的主要作用 | 第21-23页 |
| 2．3 异质结生长 | 第23-24页 |
| 2．4 异质结器件的数学模型 | 第24-25页 |
| 2．5 化合物半导体异质结内建电势及其计算方法 | 第25-28页 |
| 2．6 异质结输运中的一个问题 | 第28-31页 |
| 第三章 渐变异质结在HB-LED中的应用以及实现 | 第31-53页 |
| 3．1 渐变异质结 | 第31页 |
| 3．2 渐变异质结在AlGaInP红色HB-LED中的应用 | 第31-37页 |
| 3．3 实现技术 | 第37-39页 |
| 3．4 实验结果 | 第39页 |
| 3．5 总结 | 第39-53页 |
| 第四章 量子阱及其在HB-LED中的应用 | 第53-61页 |
| 4．1 量子阱概述 | 第53-55页 |
| 4．2 量子阱的生长 | 第55-56页 |
| 4．3 MQW中电流的注入效率及载流子分布的一般状况 | 第56-57页 |
| 4．4 多量子阱输运的数值模拟 | 第57-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 硕士期间完成的论文和科研项目 | 第63-64页 |