| 第1章 文献综述 | 第1-30页 |
| ·HBT概述 | 第7-14页 |
| ·HBT的发展 | 第7页 |
| ·HBT的特点 | 第7-9页 |
| ·HBT的电流传输原理 | 第9-11页 |
| ·HBT的主要性能参数 | 第11-14页 |
| ·HBT的材料系统和材料结构 | 第14-24页 |
| ·HBT的材料系统 | 第14-17页 |
| ·HBT的材料结构 | 第17-24页 |
| ·HBT的材料生长技术、器件工艺和钝化处理 | 第24-28页 |
| ·HBT的材料生长技术 | 第24-26页 |
| ·HBT的器件工艺 | 第26-27页 |
| ·HBT的钝化处理 | 第27-28页 |
| ·小结 | 第28-30页 |
| 第2章 InGaAs／InP DHBT的器件结构 | 第30-33页 |
| ·InGaAS／InP DHBT的器件结构 | 第30-32页 |
| ·小结 | 第32-33页 |
| 第3章 InGaAs／InP DHBT的直流特性计算与结构参数确定 | 第33-58页 |
| ·DHBT的电流计算模型 | 第33-38页 |
| ·直流特性计算和材料结构参数确定 | 第38-56页 |
| ·发射极有效导带峰的高度变化对开启电压的影响 | 第38-41页 |
| ·发射极δ掺杂浓度变化对电流和增益的影响 | 第41-47页 |
| ·阻挡层厚度变化对电流和电流增益的影响 | 第47-51页 |
| ·基区掺杂浓度、厚度变化对电流增益的影响 | 第51-53页 |
| ·n~-层、N~+层的掺杂浓度和厚度变化对I-V输出特性的影响 | 第53-56页 |
| ·InGaAs／InP DHBT的优化材料结构参数 | 第56页 |
| ·小结 | 第56-58页 |
| 第4章 总结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 发表文章 | 第63页 |
| 个人简历 | 第63页 |
