| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-14页 |
| ·研究 Si_nN_m及掺杂 P 的硅半导体材料的重要意义 | 第8-9页 |
| ·Si_3N_4合成反应工业生产现状 | 第9-11页 |
| ·Si_nN_m簇理论研究现状 | 第11-12页 |
| ·磷掺杂半导体的研究现状 | 第12页 |
| ·本论文工作 | 第12-14页 |
| 第二章 理论基础 | 第14-26页 |
| ·分子轨道理论 | 第14-17页 |
| ·闭壳层组态 Hartree-Fock-Roothaan(HFR)方程 | 第14-16页 |
| ·开壳层组态 HFR 方程 | 第16-17页 |
| ·密度泛函理论 | 第17-19页 |
| ·振动频率的计算 | 第19-20页 |
| ·谐振频率的计算 | 第19-20页 |
| ·零点振动能 | 第20页 |
| ·化学反应过渡态的计算方法 | 第20-23页 |
| ·化学反应过渡态的数学模型 | 第21-22页 |
| ·过渡态的计算方法 | 第22-23页 |
| ·基组的选择 | 第23-26页 |
| 第三章 PCl_3/H_2 在硅衬底表面上反应机理的理论研究 | 第26-34页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·计算方法 | 第26页 |
| ·结果与讨论 | 第26-34页 |
| ·反应机理分析 | 第26-32页 |
| ·主反应通道的确认 | 第32-33页 |
| ·结论 | 第33-34页 |
| 第四章 Si_nN_m(n=1-3,m=1-4)的稳定构型的理论研究 | 第34-62页 |
| ·计算方法 | 第34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-61页 |
| ·Si_nN_m(n=1-3,m=1-4)的稳定构型 | 第34-58页 |
| ·原子簇中最稳定构型分析 | 第58-61页 |
| ·结论 | 第61-62页 |
| 第五章 总结 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
