基于噪声消除技术的超宽带CMOS低噪声放大器的研究与设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| ·课题背景及意义 | 第9-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-14页 |
| ·射频集成电路工艺 | 第11-13页 |
| ·电路拓扑结构 | 第13-14页 |
| ·本文所做工作 | 第14-15页 |
| ·本文结构和组织 | 第15-16页 |
| 第2章 RF CMOS相关理论与技术 | 第16-30页 |
| ·射频相关理论准备 | 第16-21页 |
| ·散射参量 | 第16-17页 |
| ·放大器的噪声性能 | 第17-18页 |
| ·双端口网络噪声模型 | 第18-21页 |
| ·RF COMS中的元器件 | 第21-30页 |
| ·RF CMOS工艺中的电容 | 第22页 |
| ·RF CMOS工艺中的电感 | 第22-24页 |
| ·RF CMOS工艺中的变压器 | 第24-25页 |
| ·RFIC中的MOSFET | 第25-30页 |
| 第3章 经典的LNA拓扑结构比较 | 第30-40页 |
| ·并联输入电阻的共源放大器结构 | 第30-31页 |
| ·共栅放大器结构 | 第31-32页 |
| ·并联-串联反馈放大器结构 | 第32-34页 |
| ·源简并电感型共源放大器结构 | 第34-37页 |
| ·带通滤波器放大器结构 | 第36-37页 |
| ·分布式放大器结 | 第37页 |
| ·噪声消除技术 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 宽带CMOS研究设计 | 第40-60页 |
| ·宽带输入匹配 | 第41-44页 |
| ·宽带消噪结构设计 | 第44-46页 |
| ·电流复用技术及改进 | 第46-50页 |
| ·变压器的使用 | 第50-51页 |
| ·并联补偿技术的使用 | 第51-54页 |
| ·利用消噪结构的LNA的详细设计 | 第54-60页 |
| 第5章 基于消噪结构的LNA仿真结果 | 第60-65页 |
| ·无源器件的替换仿真 | 第60-63页 |
| ·结果的比较分析 | 第63-65页 |
| 第6章 总结与展望 | 第65-67页 |
| ·总结 | 第65-66页 |
| ·展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及参加的项目 | 第72页 |
