提要 | 第1-12页 |
第一章 绪论 | 第12-46页 |
§1.1 前言 | 第12-13页 |
§1.2 AlN的结构、性能及应用 | 第13-17页 |
·AlN的结构 | 第13页 |
·AlN的性能 | 第13-14页 |
·AlN的应用 | 第14-17页 |
§1.3 AlN粉体的制备及方法 | 第17-21页 |
§1.4 AlN的陶瓷的研究进展 | 第21-36页 |
·AlN陶瓷的研究历程 | 第21-22页 |
·AlN陶瓷的制备 | 第22-32页 |
·影响AlN热导率的因素 | 第32-36页 |
§1.5 陶瓷烧结理论的研究进展 | 第36-43页 |
·烧结过程的基本类型 | 第36-38页 |
·烧结过程及其物质传递 | 第38-39页 |
·烧结理论研究进展 | 第39-41页 |
·高压烧结机理的研究概况 | 第41-43页 |
§1.6 本论文的研究目的和研究内容 | 第43-46页 |
·研究目的 | 第43-44页 |
·研究内容及论文梗概 | 第44-46页 |
第二章 高温高压技术 | 第46-62页 |
§2.1 引言 | 第46-47页 |
§2.2 实验用的高温高压设备简介 | 第47-49页 |
§2.3 压力和温度控制系统 | 第49-51页 |
·压力控制系统 | 第49-50页 |
·温度控制系统 | 第50-51页 |
§2.4 压力和温度的标定 | 第51-56页 |
·压力的标定 | 第51-53页 |
·温度定标 | 第53-56页 |
§2.5 高压设备的高精度控制系统 | 第56页 |
§2.6 腔体介质材料的选择 | 第56-61页 |
§2.7 加热源石墨 | 第61页 |
§2.8 本章小结 | 第61-62页 |
第三章 材料及实验方法 | 第62-76页 |
§3.1 试验用材料 | 第62-64页 |
·AlN粉体 | 第62-64页 |
·其他原料 | 第64页 |
§3.2 材料制备 | 第64-70页 |
·主要设备 | 第64页 |
·高压烧结腔体设计 | 第64-66页 |
·高压烧结AlN陶瓷制备工艺流程 | 第66-70页 |
§3.3 分析与测试 | 第70-75页 |
·AlN粉体的表征 | 第70-71页 |
·组织结构分析 | 第71-72页 |
·AlN物理性能测试与表征 | 第72-75页 |
§3.4 本章小结 | 第75-76页 |
第四章 纯AlN粉体的高压烧结研究 | 第76-92页 |
§4.1 引言 | 第76页 |
§4.2 AlN粉体的高压烧结特性 | 第76-83页 |
·实验方法 | 第77页 |
·AlN粉体的高压烧结性能 | 第77-81页 |
·粉体的颗粒度对AlN烧结性能的影响 | 第81-83页 |
§4.3 高压烧结纯AlN陶瓷的物相分析 | 第83-84页 |
§4.4 高压烧结纯AlN陶瓷的微观结构 | 第84-89页 |
·高压烧结时间对AlN显微结构的影响 | 第84-87页 |
·高压烧结温度对AlN显微结构的影响 | 第87-89页 |
§4.5 高压烧结纯AlN陶瓷的热导率 | 第89-91页 |
§4.6 本章小结 | 第91-92页 |
第五章 添加烧结助剂的AlN陶瓷的高压烧结 | 第92-124页 |
§5.1 前言 | 第92-93页 |
§5.2 AlN陶瓷高压烧结助剂的选择 | 第93-98页 |
·烧结助剂的选择原则 | 第93-94页 |
·热力学分析 | 第94-98页 |
§5.3 添加氧化镧的AlN陶瓷的高压烧结 | 第98-105页 |
·La_2O_3含量对AlN陶瓷烧结性能的影响 | 第98-99页 |
·X光衍射分析 | 第99页 |
·温度对AlN高压烧结的影响 | 第99-101页 |
·微观结构分析 | 第101-103页 |
·Raman光谱分析 | 第103-105页 |
§5.4 添加Y_2O_3的AlN陶瓷的高压烧结 | 第105-114页 |
·Y_2O_3含量对AlN陶瓷烧结性能的影响 | 第105-106页 |
·温度对AlN烧结性能的影响 | 第106-107页 |
·显微结构分析 | 第107-109页 |
·X光衍射分析 | 第109-111页 |
·添加Y_2O_3的AlN陶瓷的晶界相分布及其热导率 | 第111-114页 |
§5.5 添加复合烧结助剂的AlN陶瓷的高压烧结 | 第114-121页 |
·复合助剂的选则 | 第114-115页 |
·实验 | 第115-116页 |
·结果与讨论 | 第116-121页 |
§5.6 本章小结 | 第121-124页 |
第六章 高压烧结AlN陶瓷的结构调整与性能改善 | 第124-144页 |
§6.1 引言 | 第124页 |
§6.2 实验设计与工艺过程 | 第124-126页 |
§6.3 结果与讨论 | 第126-142页 |
·高压热处理工艺 | 第126-127页 |
·热处理AlN试样密度的变化 | 第127-128页 |
·高压热处理的X光衍射分析 | 第128-129页 |
·热处理对AlN试样微观结构的调整 | 第129-135页 |
·高压热处理AlN晶粒生长动力学分析 | 第135-140页 |
·高压热处理AlN陶瓷的导热性能 | 第140-142页 |
§6.4 本章小结 | 第142-144页 |
第七章 高压烧结AlN陶瓷的残余应力分析 | 第144-154页 |
§7.1 引言 | 第144页 |
§7.2 残余应力拉曼光谱测试技术 | 第144-147页 |
§7.3 AlN高压烧结体残余应力 | 第147-150页 |
·试样的制备 | 第147页 |
·残余应力的测试 | 第147-149页 |
·烧结时间对残余应力的影响 | 第149-150页 |
§7.4 残余应力产生的原因及消除方法 | 第150-153页 |
·残余应力产生的原因 | 第150-151页 |
·残余应力的消除 | 第151-153页 |
§7.5 本章小结 | 第153-154页 |
第八章 AlN陶瓷的高压烧结机理 | 第154-170页 |
§8.1 前言 | 第154-155页 |
§8.2 冷高压下AlN粉体的致密性变化及晶粒碎化行为 | 第155-160页 |
·实验方法 | 第155页 |
·冷高压对AlN致密性的影响 | 第155-157页 |
·AlN粉体在冷高压下的晶粒碎化行为 | 第157-160页 |
§8.3 AlN粉体的高压烧结机理 | 第160-168页 |
·高压烧结的驱动力 | 第161-162页 |
·高压烧结初期的致密化机理 | 第162-164页 |
·高压烧结后期的致密化机理 | 第164-168页 |
§8.4 本章小结 | 第168-170页 |
第九章 结论与展望 | 第170-176页 |
§9.1 结论 | 第170-173页 |
§9.2 展望 | 第173-176页 |
参考文献 | 第176-190页 |
博士期间发表的相关学术论文 | 第190-193页 |
博士期间发表的其他论著及论文 | 第193-194页 |
致谢 | 第194-196页 |
作者简历 | 第196-198页 |
中文摘要 | 第198-202页 |
英文摘要 | 第202-207页 |