| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-23页 |
| ·高 k 栅介质材料的研究现状 | 第10-12页 |
| ·高 k 材料的基本性质 | 第12-15页 |
| ·高 k 栅介质薄膜的研究进展 | 第15-16页 |
| ·Al 掺杂 HfO_26 | 第15页 |
| ·Ta 掺杂 HfO_26 | 第15-16页 |
| ·N 掺杂 HfO_27 | 第16页 |
| ·稀土掺杂 HfO_27 | 第16页 |
| ·薄膜的生长 | 第16-17页 |
| ·退火工艺 | 第17-18页 |
| ·本文的研究思路和主要内容 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-23页 |
| 第二章 高 k 薄膜的制备及表征 | 第23-38页 |
| ·薄膜的制备 | 第23-27页 |
| ·原子层沉积系统 | 第23-25页 |
| ·双离子束沉积系统 | 第25-27页 |
| ·基片清洗 | 第27-28页 |
| ·样品的退火处理 | 第28-29页 |
| ·薄膜的表征 | 第29-37页 |
| ·X 射线衍射分析（XRD） | 第29页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第29-31页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第31-32页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第32-33页 |
| ·傅里叶变换红外光谱分析（FTIR） | 第33-34页 |
| ·拉曼光谱（Raman） | 第34-35页 |
| ·电学特性 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第三章 退火温度对 HfO_2薄膜的物性影响 | 第38-47页 |
| ·实验过程 | 第38页 |
| ·结果与分析 | 第38-42页 |
| ·XPS 分析 | 第38-40页 |
| ·FTIR 分析 | 第40页 |
| ·AFM 表面形貌分析 | 第40-42页 |
| ·电学特性 | 第42-44页 |
| ·CV 特性 | 第42-43页 |
| ·IV 漏电流分析 | 第43-44页 |
| ·总结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第四章 不同退火气氛对 HfO_2薄膜的物性影响 | 第47-56页 |
| ·实验过程 | 第47页 |
| ·结构分析 | 第47-51页 |
| ·XPS 分析 | 第47-50页 |
| ·Raman 分析 | 第50页 |
| ·AFM 表面形貌分析 | 第50-51页 |
| ·电学特性 | 第51-54页 |
| ·CV 特性 | 第51-53页 |
| ·IV 特性 | 第53-54页 |
| ·结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 第五章 退火对 HfTaO 薄膜结构和电学性质的影响 | 第56-67页 |
| ·实验过程 | 第56-58页 |
| ·结构分析 | 第58-60页 |
| ·HfTaO 薄膜的 XPS 谱 | 第58-59页 |
| ·XRD 测试 | 第59页 |
| ·AFM 表面形貌测试 | 第59-60页 |
| ·电学特性 | 第60-64页 |
| ·CV 特性 | 第60-62页 |
| ·界面态密度 | 第62-63页 |
| ·IV 特性 | 第63-64页 |
| ·结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 第六章 结论 | 第67-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |