| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-31页 |
| ·纳米材料及其特性 | 第13-22页 |
| ·纳米材料概述 | 第13-16页 |
| ·纳米材料的效应 | 第16-17页 |
| ·纳米材料的发展及其分类 | 第17-18页 |
| ·低维纳米材料 | 第18-20页 |
| ·纳米材料发展趋势 | 第20-22页 |
| ·石墨纳米带 | 第22-24页 |
| ·硅纳米材料及其发展现状 | 第24-28页 |
| ·硅纳米线及硅纳米管发展现状 | 第24-26页 |
| ·硅纳米带发展现状 | 第26-28页 |
| ·本论文的基本框架 | 第28-31页 |
| 第2章 第一性原理计算方法及其理论基础 | 第31-45页 |
| ·第一性原理计算 | 第31-32页 |
| ·薛定谔方程 | 第32-33页 |
| ·绝热近似 | 第33-34页 |
| ·Hartree-Fock近似 | 第34-35页 |
| ·密度泛函理论 | 第35-39页 |
| ·Hohenberg-Kohn理论 | 第36-37页 |
| ·Kohn-Sham方法 | 第37-38页 |
| ·局域密度近似(Local Density Approximation LDA) | 第38-39页 |
| ·广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation GGA) | 第39页 |
| ·布洛赫(bloch)定理 | 第39-40页 |
| ·平面波赝势方法 | 第40-41页 |
| ·VASP计算模拟包 | 第41-45页 |
| 第3章 硅纳米带第一性原理计算 | 第45-55页 |
| ·计算模型和方法 | 第46-47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-53页 |
| ·结论 | 第53-55页 |
| 第4章 悬挂键对硅纳米带电磁性质的影响 | 第55-67页 |
| ·计算模型和方法 | 第55-56页 |
| ·结果与讨论 | 第56-65页 |
| ·结论 | 第65-67页 |
| 第5章 单碳链及双碳链对锯齿型硅纳米带电磁性质的影响 | 第67-87页 |
| ·单碳链取代时计算模型 | 第67-68页 |
| ·单碳链取代时的结果和讨论 | 第68-79页 |
| ·单碳链取代时的电子性质 | 第69-73页 |
| ·单碳链取代对硅纳米带的磁性质的影响 | 第73-79页 |
| ·双碳链取代时计算模型 | 第79-80页 |
| ·双碳链取代时计算结果与讨论 | 第80-84页 |
| ·双碳链取代时的电子性质 | 第80-83页 |
| ·双碳链取代对硅纳米带的磁性质的影响 | 第83-84页 |
| ·结论 | 第84-87页 |
| 第6章 空位对硅纳米带电磁性质的影响 | 第87-95页 |
| ·计算模型和方法 | 第87-88页 |
| ·结果与讨论 | 第88-93页 |
| ·结论 | 第93-95页 |
| 第7章 F饱和AlN纳米带的电子特性研究 | 第95-101页 |
| ·计算模型和方法 | 第95-96页 |
| ·结果与讨论 | 第96-99页 |
| ·结论 | 第99-101页 |
| 第8章 总结 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-113页 |
| 致谢 | 第113-115页 |
| 攻读博士学位期间科研成果 | 第115页 |
