| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 1 研究背景和意义 | 第9-27页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·ZnO 的基本性质 | 第9-12页 |
| ·ZnO 的缺陷 | 第12-13页 |
| ·ZnO 的点缺陷 | 第12-13页 |
| ·ZnO 的线缺陷和堆垛层错 | 第13页 |
| ·ZnO 的电学性质及其掺杂 | 第13-18页 |
| ·ZnO 的n 型掺杂 | 第13页 |
| ·ZnO 的p 型掺杂 | 第13-18页 |
| ·ZnO 基稀磁半导体的研究 | 第18-24页 |
| ·ZnO 基稀磁半导体的理论进展 | 第19-21页 |
| ·ZnO 基稀磁半导体的实验进展 | 第21-24页 |
| ·本文的立题依据、研究内容及创新点 | 第24-27页 |
| ·立题依据 | 第24-25页 |
| ·研究内容 | 第25页 |
| ·本文的特色和创新点 | 第25-27页 |
| 2 ZnO 薄膜的制备及性能评价 | 第27-41页 |
| ·射频磁控溅射的基本原理 | 第27-30页 |
| ·辉光放电原理 | 第27-28页 |
| ·磁控溅射原理 | 第28-30页 |
| ·ZnO 薄膜的制备流程 | 第30-32页 |
| ·靶材及衬底的清洗 | 第30-31页 |
| ·射频磁控溅射镀膜 | 第31-32页 |
| ·ZnO 薄膜的制备参数 | 第32页 |
| ·薄膜的性能评价 | 第32-41页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第32-33页 |
| ·霍尔（Hall）测试 | 第33-35页 |
| ·双光束紫外-可见分光光度计 | 第35页 |
| ·X 射线光电子能谱仪 | 第35-37页 |
| ·场发射扫描电子显微镜 | 第37-39页 |
| ·振动样品磁强计 | 第39-41页 |
| 3 离子注入及退火 | 第41-47页 |
| ·离子注入的原理 | 第41-45页 |
| ·离子注入装置的简介 | 第41-42页 |
| ·非晶靶的垂直投影射程分布 | 第42-43页 |
| ·标准偏差及注入离子分布 | 第43-45页 |
| ·退火(热处理) | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 4 退火对N 离子注入ZnO:Mn 薄膜P 型转变的影响 | 第47-55页 |
| ·退火对薄膜结构的影响 | 第47-48页 |
| ·退火对薄膜表面形貌的影响 | 第48-49页 |
| ·退火对薄膜电学特性的影响 | 第49-50页 |
| ·退火对薄膜元素化学状态的影响 | 第50-52页 |
| ·P-ZnO:Mn-N 薄膜的稳定性及可重复性 | 第52-53页 |
| ·p-ZnO:Mn-N 薄膜稳定性 | 第52-53页 |
| ·p-ZnO:Mn-N 薄膜的可重复性 | 第53页 |
| ·小结 | 第53-55页 |
| 5 P 型ZnO:Mn-N 薄膜的其它物性分析 | 第55-63页 |
| ·P-ZnO:Mn-N 薄膜的深度剖析 | 第55-58页 |
| ·p-ZnO:Mn-N 薄膜的元素化学态分析 | 第55-56页 |
| ·p-ZnO:Mn-N 薄膜的元素定量分析 | 第56-58页 |
| ·ZnO:Mn-N 薄膜的光学特性 | 第58-60页 |
| ·ZnO:Mn-N 薄膜的磁性分析 | 第60-61页 |
| ·小结 | 第61-63页 |
| 6 总结 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及科研情况 | 第72页 |