| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·紫外探测技术概述 | 第7页 |
| ·AlGaN 基MSM 结构紫外探测器的研究意义和应用前景 | 第7-9页 |
| ·国内外紫外探测器研究概况 | 第9-12页 |
| ·光电导探测器 | 第9-10页 |
| ·肖特基势垒探测器 | 第10-11页 |
| ·pn 和pin 结型探测器 | 第11页 |
| ·金属-半导体-金属（MSM）结构探测器 | 第11-12页 |
| ·光电晶体管和雪崩二极管探测器 | 第12页 |
| ·存在的问题与不足 | 第12-13页 |
| ·应重点解决的问题 | 第13-15页 |
| ·预期达到的技术指标 | 第15页 |
| ·本论文研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 GaN/AlGaN 材料性质 | 第17-23页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料概述 | 第17-18页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材的晶体结构、化学键和极性 | 第18-20页 |
| ·GaN 和AlGaN 材料性能简介 | 第20-23页 |
| ·GaN 材料简介 | 第20-22页 |
| ·AlGaN 材料简介 | 第22-23页 |
| 第三章 AlGaN 外延材料生长 | 第23-31页 |
| ·MOCVD 外延技术简介 | 第23-24页 |
| ·AlGaN 外延材料结构设计 | 第24-25页 |
| ·AlGaN 外延材料的生长 | 第25-27页 |
| ·蓝宝石衬底的化学清洗 | 第25-26页 |
| ·外延生长 | 第26-27页 |
| ·AlGaN 外延材料的测试 | 第27-31页 |
| ·原子力显微镜测试 | 第28-29页 |
| ·X 射线衍射(XRD)测试 | 第29-30页 |
| ·透射谱测量 | 第30-31页 |
| 第四章 AlGaN 基MSM 结构日盲型紫外探测器的工作原理 | 第31-39页 |
| ·金属-半导体-金属光电探测器的工作原理 | 第31-37页 |
| ·金属-半导体-金属光电探测器简介 | 第31-33页 |
| ·金属-半导体-金属光电探测器的工作原理 | 第33-37页 |
| ·MSM 光电探测器的主要参量及其物理意义 | 第37-39页 |
| ·响应度（灵敏度） | 第37页 |
| ·暗电流 | 第37页 |
| ·量子效率 | 第37-39页 |
| 第五章 AlGaN 基MSM 结构探测器的制作 | 第39-50页 |
| ·AlGaN 基MSM 结构紫外探测器叉指电极结构设计 | 第39页 |
| ·掩膜版版图设计与制版 | 第39-43页 |
| ·器件制备 | 第43-50页 |
| ·样品清洗 | 第43-44页 |
| ·淀积一层SiO_2 膜 | 第44页 |
| ·光刻出制作器件窗口 | 第44-45页 |
| ·用标准剥离工艺制作肖特基叉指电极 | 第45-47页 |
| ·淀积一层SiO_2 抗反射膜 | 第47页 |
| ·光刻金属电极孔和刻蚀SiO_2 抗反射膜 | 第47页 |
| ·用标准剥离工艺制作Au 电极 | 第47-50页 |
| 第六章 AlGaN 基MSM 结构探测器的性能测试 | 第50-53页 |
| ·I-V 特性测试 | 第50-51页 |
| ·光谱响应测试 | 第51-53页 |
| 第七章 总结及展望 | 第53-55页 |
| ·工作总结 | 第53页 |
| ·展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
